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mos管漏电流怎么解决
耗尽型
MOS管
在电路中为什么用得不多呢?
答:
驱动复杂性:要关闭耗尽型
MOS管
,需要施加负栅源电压减少沟道中的载流子浓度。这比只需施加正栅源电压来开启增强型MOS管要复杂得多,对驱动电路的要求也更高。静态功耗:耗尽型MOS管在无栅极电压作用下也能导通,没有信号传输时也会有
漏电流
存在,会有一定的静态功耗。可靠性与稳定性:耗尽型MOS管对...
5个
mos
并联,很多这样的板子都工作好好的,就有两块板子不均流,均流电 ...
答:
华能阳光电气是专业生产 直流高压发生器 、并联谐振 公式 、氧化锌避雷器直流参数测试仪 、工频磁场发生器 、开关特性分析仪 、绝缘电阻值 、冲击电压发生器 、微波谐振腔体 、变压器综合试验台 、继电保护测试仪用途 、便携式大
电流
发生器 、高压开关电器 等仪器仪表的企业、如果需要了解以上设备其他参数...
MOS管
用数字万用表
怎么
测其好坏及引脚?
答:
用数字万用表测量
MOS管
好坏及引脚的方法:以N沟道MOS场效应管为例。一、先确定MOS管的引脚:1、先对MOS管放电,将三个脚短路即可;1、首先找出场效应管的D极(漏极)。对于TO-252、TO-220这类封装的带有散热片的场效应管,它们的散热片在内部是与管子的D极相连的,故我们可用数字万用表的二极管...
mos管
工作原理
答:
主要原因是大部分
MOS管
集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压,所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中,CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管,而内存插槽共用一组MOS管。一般来说,MOS管两个一组出现在主板上。工作原理双极晶体管将输入端的小
电流
变化放大,然后在输出端输出大的电流...
MOS管
的夹断区和饱和区的区别是什么
答:
MOS管
的夹断区和饱和区的区别是:1、Uds(漏源电压)和Id(
漏
极
电流
)的关系不同:夹断区的Uds增大到一定数值,Id急剧增大;当Uds增大到出现预夹断后,Id几乎不随Uds增大而增大。2、Id的取值不同:夹断区,当导电沟道完全被夹断时,Id≈0;饱和区Id的数值取决于Ugs(栅源电压)的大小。3、场...
mos管怎么
测出哪个d
漏
极哪个s源极
答:
一、因为
MOS管
有体二极管,所以:1、如果是NMOS,用万用表二极管档量MOS管体二极管导通的两脚,正极是S极,负极是D极,剩下的是G极。2、如果是PMOS,用万用表二极管档量MOS管体二极管导通的两脚,正极是D极,负极是S极,剩下的是G极。二、说明:1、下图是用万用表二极管档测量二极管的导通及其...
什么叫截止
电流
?
答:
双极型晶体管(BJT)的截止电流,就是指晶体管处于关断状态时所通过的
漏电流
;实际上,截止电流也就是其中某一个pn结的反向饱和电流。因为晶体管有三个电极,所以相应的就有三个大小不同的截止电流:①Icbo:发射极开路时的集电结反向饱和电流。这是BJT共基极组态的截止电流。该截止电流比单个pn结的...
在
MOS管
中为什么
漏电流
产生的压降使沟道上各点与栅极电压不同
答:
因为沟道有体电阻,各点之间有电压差造成的!手打不易,如有帮助请采纳,谢谢!!
MOS管
的
漏电流
为250微安,是不是产品的漏电流不可以超过250微安_百度知...
答:
这是有测试条件的,一般是指给定的VDS电压下,
漏电流
Id不能超过250uA,否则就可以说明器件不合格或是损坏了。不是指产品的漏电流!
MOS管
的过驱动电压及阈值电压是多少?
答:
阈值电压受衬偏效应的影响,即衬底偏置电位,零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8,过驱动电压为Vgs减Vth。
MOS管
,当器件由耗尽向反型转变时,要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态,器件的栅电压定义为阈值电压,MOSFET的...
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