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mos管漏电流怎么解决
这种电路图的
电流
流向
怎么
看?
答:
阻抗可以认为是无穷大,由其承担全部的输入电源电压值,输出电源近似为零,既负载上没有电压,更不会出现负电压,从而保护了负载,负载中没有电流流过(可能有很小很小的电流,是
MOS管
关断时的
漏电流
)。图中电路错误:图中MOS管图形符号中带箭头的端子应与S端子相连;图中S端和D端接反了。
a1svcb是什么管子?
答:
A1SHB(PL2301)P
MOS管
。 晶体管类型 : P沟道MOSFET 最大功耗PD : 1.25W 漏源电压VDS :-20V(极限值) 漏极电流ID:TA=25°时:-2.2A,TA=70°时:-1.4A 栅极
漏电流
IGSS:±100nA。A2SHB(PL2302)NMOS管。 晶体管类型 : N沟道MOSFET 最大功耗PD : 1.25W 漏源电压VDS :20V...
控制器
MOS管
,型号HY1808A 具体参数谁有?
答:
这是N沟道功率型场效应管,重要参数:源
漏
极电压:75V 漏极
电流
:80A 导通电阻:RDS(ON)=7.8mΩ (typ.) @ VGS=10V
MOS管
的种类很多,电压区分,电流区分,功率区分。特性:耐压,过电流,最大功率,内阻。MOS管也分有国产和进口的品牌,MOS管要注意散热安装。根据控制器的不同规格使用不...
P沟道
MOS管
G极
电流
可以流向D吗?
答:
mos管
栅极和源漏极之间的阻抗很高,
漏电流
很小,一般认为是不会流向d的
IBGT跟
MOS管
有什么区别?
答:
你写错了,应该是IGBT。IGBT与
MOS管
都是栅电压控制
漏电流
的,电压控制电流型器件。二者的区别在于,IGBT是双极型器件,也就是在其导通时,是两种载流子同时参与导电;而MOS管是单极型器件,导通时,只有一种载流子参与导电。相比较说来,IGBT的工作频率比MOS管的工作频率低,但比一般BJT的工作频率要高,...
怎么
鉴别采购的开关电源
mos管
是否正品
答:
自己测试数据,1: 内阻(最重要的一项) 2:耐压. 3:开启电压 4。
漏电流
。 如果这4个参数都跟官网的参数一致,那么基本就是正品, 另外还有一个最直接的办法, 看晶元。 把
MOS
掰开,跟正品的晶元大小对比,如果比正品的小,不用问,肯定假货 ...
手机电池生产常见性能问题有?
答:
内阻(IR)偏大 1、电芯内阻偏大 电芯来料内阻偏大、电芯在短路后内阻会变大、点焊压力或
电流
过大时电芯内阻也可能发生变化 2、限流器内阻偏大 限流器来料内阻偏大、限流器在手工焊接高温后电阻可能发生变化。3、
MOS管
导通时内阻偏大 与好的MOS管进行对比、查是否有按规格书要求型号、查此型号...
a1sb是什么管, a2ahb呢??
答:
A1SHB(PL2301)P
MOS管
。 晶体管类型 : P沟道MOSFET 最大功耗PD : 1.25W 漏源电压VDS :-20V(极限值) 漏极电流ID:TA=25°时:-2.2A,TA=70°时:-1.4A 栅极
漏电流
IGSS:±100nA。A2SHB(PL2302)NMOS管。 晶体管类型 : N沟道MOSFET 最大功耗PD : 1.25W 漏源电压VDS :20V...
a1sab和a2sab是什么意思?
答:
A1SHB(PL2301)P
MOS管
。 晶体管类型 : P沟道MOSFET 最大功耗PD : 1.25W 漏源电压VDS :-20V(极限值) 漏极电流ID:TA=25°时:-2.2A,TA=70°时:-1.4A 栅极
漏电流
IGSS:±100nA。A2SHB(PL2302)NMOS管。 晶体管类型 : N沟道MOSFET 最大功耗PD : 1.25W 漏源电压VDS :20V...
a1sb是什么二极管?
答:
A1SHB(PL2301)P
MOS管
。 晶体管类型 : P沟道MOSFET 最大功耗PD : 1.25W 漏源电压VDS :-20V(极限值) 漏极电流ID:TA=25°时:-2.2A,TA=70°时:-1.4A 栅极
漏电流
IGSS:±100nA。A2SHB(PL2302)NMOS管。 晶体管类型 : N沟道MOSFET 最大功耗PD : 1.25W 漏源电压VDS :20V...
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