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mos管漏电流怎么解决
栅极
漏电流
什么量级
答:
接下来,我们增大
漏
极(集电极)偏置
电流
,会有
怎样
的结果呢?从前面的分析,可以预测:对于 Bipolar三极管,单位集电极偏置电流下的跨导不随集电极偏置电流的变化而变化,而
MOS管
的单位漏极偏置电流下的跨导随着栅极偏置电压的升高而降低。那么是否与理论预测的趋势相符呢?图8 更改偏置后的共源(共射)放大器图9 更改偏置后...
...驱动电路来控制48VDC电压的通断,采用IRF3810
mos管
答:
对于场效应管的输入阻抗来说,光耦关断时的
漏电流
足以使它导通,你应该在场效应管的控制极接一只下偏置电阻才行,因为光耦不管是导通还是截止对场效应管来说都是导通状态,在R10和R15下端各接上一只下偏置电阻就行了,取值以光耦导通时的分压足以使场效应管导通,关断时又可以将电压置于接近零为准,哦...
IR21844输出电容效应
答:
IC损坏了,换IC的同时更换输出功率管。1、DS短路,GDS都短路。2、控制极不起作用,D-S
漏电流
大(可以控制,但输出电流有限)同时直流参数远偏离原数值,这就是有时候在测量
MOS管
时,用表好像是好,但接入电路后不能正常工作。在集中参数L、C串联电路中,如果容抗大于感抗,即1/ωC>ωL,电路中将流...
关于三极管的输入阻抗
答:
三极管的基极和
MOS管
的栅极同时加上一定的电压时(使他们都导通,根据具体型号的器件,有不同的表现),三极管是一种电流控制电流的器件,导通时基极需要一定的电流(
漏电流
);而MOS管是一种电压控制电流的器件,导通时栅极几乎没有电流。根据公式:R=V/I,明显可以得到三极管的阻抗比较低!
MOS管
特性,包括
电流
流向,沟道开启条件
答:
MOS管
的特性:1、它的栅极-源极间电阻很大,可达10GΩ以上。2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省。3、集成化时工艺简单,因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中。MOS管有N沟道和P沟道两类,每一类又分为增强型和耗尽型两种,凡栅极-源极电压为零时
漏
极
电流
也为零的管子,均属于增强...
如何
详细解释
MOS
保护的原理?
答:
随着VGS逐渐升高,受栅极正电压的吸引,在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子,形成从
漏
极到源极的N型沟道,当VGS大于管子的开启电压VTN(一般约为+2V)时,N沟道管开始导通,形成漏极
电流
ID。国产N沟道
MOSFET
的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4(以上均为单栅管),4DO1(双栅管)。它们的管脚...
MOS管
的每一个参数含义
答:
深入解析
MOS管
的关键参数,理解它们在电路中的角色至关重要。首先,VDSS,即漏源电压,犹如一道安全屏障,防止电流引发的雪崩效应导致器件损坏,确保其在正常工作下的稳健性。接下来是VGS,栅源电压,它的存在是为了保护栅极的氧化层,防止其因过电压而受损,确保栅极控制的精确性。ID,连续
漏电流
,是电路...
开关电源基础08:开关电源损耗
答:
深入理解开关电源损耗的关键因素 开关电源的效率并非完美,其内部损耗是影响能效的重要因素。
MOS管
在开关过程中的损耗,如在BUCK、BOOST和BUCK-BOOST拓扑中,与输入电压 Vin 密切相关。这些损耗主要包括:MOS管开关损耗: 在理想情况下,MOS管导通电阻为零,但实际中,Vgs变化会导致
漏电流
变化,Vds和Id的...
MOS管
DS间有寄生二极管,
如何
测试BVDSS
答:
不是好多mos有反向二极管,而是大部分都有。测BVdss,不管有没有二极管,测试都是一样的。ID=1mA , Vclamp=600V,就是Device GS short,Vd电压从0-600V 往上加,
mos管
DS有电压,就会有
漏电流
,只是电压低时,电流太小,pA级,或者测不到,随着电压越来越高,漏电流也越来越大,当漏电流...
mos
场效应管判断好坏
答:
为了进一步确认
MOS管
的好坏,还可以使用专业的半导体测试仪器进行更精确的测量。这些仪器可以对MOS管的各项参数进行详细的测试,包括阈值电压、跨导、
漏电流
等,从而更准确地判断MOS管的工作状态。需要注意的是,MOS管的损坏可能由多种原因引起,例如过压、过流、静电击穿等。因此,在使用MOS管时,应注意遵守...
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