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mos管漏电流怎么解决
请问
如何
判断场效应管的好坏,以及N沟道,P沟道
答:
场效应管具有如下特点:(1)场效应管是电压控制器件,它通过VGS(栅源电压)来控制ID(
漏
极
电流
);(2)场效应管的控制输入端电流极小,因此它的输入电阻(107~1012Ω)很大。(3)它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好;(4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的...
nmos 逆变器原理
答:
当输入端为低电平时,P沟道
MOS
场效应管导通,输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时,N沟道MOS场效应管导通,输出端与电源地接通。在该电路中,P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作,其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于
漏电流
...
IBGT跟
MOS管
有什么区别?
答:
你写错了,应该是IGBT。IGBT与
MOS管
都是栅电压控制
漏电流
的,电压控制电流型器件。二者的区别在于,IGBT是双极型器件,也就是在其导通时,是两种载流子同时参与导电;而MOS管是单极型器件,导通时,只有一种载流子参与导电。相比较说来,IGBT的工作频率比MOS管的工作频率低,但比一般BJT的工作频率要高,...
讨论P
MOS
晶体管的工作原理
答:
衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。当达到强反型时,在相对于源端为负的漏源电压的作用下,源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端,形成从源到漏的源
漏电流
。同样地,VGS越负(绝对值越大),沟道的导通电阻越小,电流的数值越大。参考资料:http://baike.baidu.com/view...
mos 管
D极S极之间耐压检测方法?
答:
有专用的
MOS管
检测仪器,能加电压到击穿电压点附近,当
漏电流
开始急剧上升时,读取击穿电压。其余方法太危险,不推荐。
什么叫
mos
场效应管
答:
按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和
MOS
场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类.见下图 :3.场效应管的主要参数 :Idss — 饱和
漏
源
电流
.是指结型或耗尽型绝缘栅...
a1sahb是什么管?
答:
A1SHB(PL2301)P
MOS管
。 晶体管类型 : P沟道MOSFET 最大功耗PD : 1.25W 漏源电压VDS :-20V(极限值) 漏极电流ID:TA=25°时:-2.2A,TA=70°时:-1.4A 栅极
漏电流
IGSS:±100nA。A2SHB(PL2302)NMOS管。 晶体管类型 : N沟道MOSFET 最大功耗PD : 1.25W 漏源电压VDS :20V...
控制器
MOS管
,型号HY1808A 具体参数谁有?
答:
这是N沟道功率型场效应管,重要参数:源
漏
极电压:75V 漏极
电流
:80A 导通电阻:RDS(ON)=7.8mΩ (typ.) @ VGS=10V
MOS管
的种类很多,电压区分,电流区分,功率区分。特性:耐压,过电流,最大功率,内阻。MOS管也分有国产和进口的品牌,MOS管要注意散热安装。根据控制器的不同规格使用不...
P沟道
MOS管
G极
电流
可以流向D吗?
答:
mos管
栅极和源漏极之间的阻抗很高,
漏电流
很小,一般认为是不会流向d的
场效应管a1shb2是什么管?
答:
A1SHB(PL2301)P
MOS管
。 晶体管类型 : P沟道MOSFET 最大功耗PD : 1.25W 漏源电压VDS :-20V(极限值) 漏极电流ID:TA=25°时:-2.2A,TA=70°时:-1.4A 栅极
漏电流
IGSS:±100nA。A2SHB(PL2302)NMOS管。 晶体管类型 : N沟道MOSFET 最大功耗PD : 1.25W 漏源电压VDS :20V...
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