55问答网
所有问题
当前搜索:
mos管漏电流怎么解决
半导体器件——GIDL篇
答:
空穴则被导向基底,从而产生
漏电流
现象。产生条件: 1) 亚阈值工作区;2)Drain与gate必须存在交叠,形成pn结;3)存在强漏电场的驱动力。对
MOS
的影响: GIDL在亚阈值区引发额外漏电流,这无疑增加了静态功耗,对电路的效率构成挑战。
解决
方案: 通过引入LDD技术,调整交叠区域的轻掺杂,缓和电势变化,...
k3236管子的极性是什么?
答:
回答:硅N沟道
MOS
类型(U-MOSII),主要应用于开关调节器,电源转换器和马达驱动应用。 特点: 1、4V门级驱动 2、漏源极低开通电阻:RDS (ON) = 13.5 mΩ (typ.) 3、高前转移导纳:|Yfs| = 42 S (typ.) 4、低
漏电流
:IDSS = 100 μA (max) (VDS = 60 V) 5、增强模式:Vth = 1.3...
棣栭〉
<涓婁竴椤
16
17
18
19
20
21
22
23
24
76
其他人还搜