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igbt栅极
igbt
的驱动电路有什么特点
答:
若在
IGBT
的
栅极
和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOS 截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件,在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压,...
igbt
的输出特性分为三个区域
答:
正向阻断区、有源区和饱和区。
IGBT
在工作开关状态,主要是在正向阻断区和饱和区之间来回切换,输出特性的三个区域分别为:正向阻断区、有源区和饱和区。绝缘栅双极晶体管(IGBT)结合了GTR和MOSFET的优点,具有良好的特性,IGBT也是三端器件,具有
栅极
G、集电极C和发射极E。
igbt
型号 请问:
IGBT
型号?
答:
H20R1353可以用H20R1203代换,H20R1203参数:1200V20A1.48Ⅴ;H20R1353参数:1350Ⅴ20A1.6Ⅴ。
IGBT
是电磁炉常常容易损坏的元器件之一,由于 IGBT 管工作在高电压、大电流、温度高状态,一般不超过2000W的电磁炉在相同的条件选择20A~30A的IGBT即可。很多的IGBT内部里面都有阻尼二极管,但是也不保证有些...
IGBT
功率模块的三个极分别叫什么名字?请高人 和三极管集电极,发射机...
答:
栅极
G漏极D源极S分别对应 三极管的基极B集电极C发射极E
电力半导体件
IGBT
有哪些特点?
答:
IGBT
的主要优点有:1、IGBT在正常工作时,导通电阻较低,增大了器件的电流容量。2、IGBT的输出电流和跨导都大于相同尺寸的功率MOSFET。3、较宽的低掺杂漂移区(n-区)能够承受很高的电压,因而可以实现高耐压的器件。4、IGBT利用
栅极
可以关断很大的漏极电流。6、与MOSFET一样,IGBT具有很大的输入电阻和较...
电磁炉线路图中从
IGBT
,E脚串一个RKI,7mohm接地,这个RK|是什么?_百度...
答:
如果
IGBT栅极
与发射极之间的电压,即驱动电压过低则IGBT不能稳定的工作,如果过高甚至超过栅极—发射极之间的耐压,则IGBT可能会永久损坏。同样,如果IGBT集电极与发射极之间的电压超过允许值,则流过IGBT的电流会超限,导致IGBT的结温超过允许值,此时IGBT也有可能会永久损坏。IGBT的作用 IGBT是一种功率晶体管...
IGBT
是什么
答:
因为
IGBT栅极
- 发射极阻抗大,故可使用MOSFET驱动技术进行触发,不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大,故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路提供的偏压更高。 IGBT在关断过程中,漏极电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后,PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除,造成漏极电流较长的尾部时间,td(off)为关断延迟时间,trv为...
绝缘
栅
型场效应管好坏及极性
答:
将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接
IGBT
的漏极(D),红表笔接IGBT 的源极(S),此时万用表的指针 指在无穷处。用手指同时触及一下
栅极
(G)和漏极(D),这时IGBT 被触发导通,万用表的指针摆向阻值 较小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下源极(S)和栅极(G...
IGBT
是怎么触发导通的 ?? 是给脉冲就导通呢 还是得一直在
栅极
加正电压...
答:
IGBT
,既具备了CMOS管的高输入电阻,又具备了双极型晶体管的低导通压降。如果想正常可靠工作,不能使用脉冲。应该是:G-S加正电压导通,G-S加负电压截止。因为其G的高输入阻抗,在测量时在G-S加正电压后,G-S的电容储存的电荷释放缓慢,即使去掉驱动信号,IGBT也会继续维持导通一会,但这种情况不稳定...
igbt
驱动电路的要求
答:
这些信号轻则会使本该截止的IGBT处于微通状态,增加管子的功耗。重则将使调压电路处于短路直通状态。因此,最好给处于截止状态的IGBT加一反向栅压(幅值一般为5~15 V),使IGBT在栅极出现开关噪声时仍能可靠截止。3)具有栅极电压限幅电路,保护栅极不被击穿。
IGBT栅极
极限电压一般为+20 V,...
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