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igbt栅极
IGBT
主要技术参数!
答:
IGBT
硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似,主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。如等效电路图所示(图1),其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和N+ 区之间创建了一个J1结。 当正栅偏压使
栅极
下面反演P基区时,一个N沟道形成,同时出现一...
三个脚的功率管和
IGBT
怎样判断好坏?
答:
首先,需判断
IGBT
的极性。把万用表打在R×1KΩ挡,黑笔连接在某一电极上,红笔分别接触另外两只管脚。如果测得阻值都为无穷大,则用红笔去接黑笔之前接的管脚,黑笔分别去接触另外两只管脚。若阻值仍都为无穷大,那么固定表笔所接的管脚为
栅极
(G)。另外两极再用万用表红笔和黑笔测量,若阻值为...
检测
IGBT
模块的方法有哪些?
答:
简单方法检测
igbt
模块的好坏 l 、判断极性首先将万用表拨在 r×1k 。挡,用万用表测量时,若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大,则判断此极为
栅极
(g )。其余两极再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,...
IGBT
额定电压和驱动电压有什么区别?其额定电压的大小是衡量什么的?_百 ...
答:
额定电压:就是正常工作时的电压。但是
IGBT
不这么理解,比如耐压1200V的IGBT,一般工作在母线电压600V以下的电路中,留出1倍以上的余量 驱动电压:由于IGBT是电压控制型器件,开通和关断由
栅极
和发射极间的电压UGE决定,当在栅极和发射极加一大于开启电压UGE(rh)的正电压时,IGBT导通,当栅极施加一负偏压...
FGA25N120是什么三极管
答:
FGA25N120不是三极管。它是一款可以工作在高电压大功率(1200V、50A)下的N沟道
IGBT
(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
电磁炉电子元器件用万用表在路检测都测不出来好坏路?
答:
在测量阻值较小的一次中,则判断红表笔接的为集电极( C ) :黑表笔接的为发射极( E )。2 、判断好坏将万用表拨在 R×10K档,用黑表笔接
IGBT
的集电极( C ) ,红表笔接 IGBT 的发时极 ( E ) ,此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下
栅极
( G )和集电极( C ) ,这时工 ...
什么是
IGBT
电路啊
答:
IGBT
电路,就是IGBT及其周边的元器件组成的电路。IGBT是一种电子元器件,它分别吸取了双极晶体三极管CE结导通后的低压降,和MOS管电压驱动特性的两个优点,可以做到电压驱动微功率、低导通压降。目前已经被广泛各种大功率电子设备中,例如逆变焊机、UPS、电磁炉、稳压电源等。IGBT的开关作用是通过加正向
栅极
...
怎么测量
IGBT
好坏方法
答:
在测量阻值较小的一次中,则判断红表笔接的为集电极( C ) :黑表笔接的为发射极( E )。2 、判断好坏将万用表拨在 R×10KQ 档,用黑表笔接
IGBT
的集电极( C ) ,红表笔接 IGBT 的发时极 ( E ) ,此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下
栅极
( G )和集电极( C ) ,这时...
什么是
IGBT
饱和压降?
答:
在BJT的输出伏安特性曲线上,饱和状态即是处在紧靠纵轴(电流轴)的一个小范围内。BJT在饱和状态工作时,总是希望该饱和范围越小越好,即要求输出电压——饱和压降越低越好。因为饱和压降直接关系到集电极串联电阻,故为了降低饱和压降,就需要提高集电区掺杂浓度。但为了提高提高击穿电压,又需要减小集电区...
igbt
管工作的原理是什么
答:
其中N沟道晶体管的极性与P沟道晶体管的极性相反。
IGBT
的工作原理是,当IGBT的
栅极
电压达到一定的阈值时,IGBT的N沟道晶体管就会导通,此时IGBT就会从关断状态转变为导通状态,从而使IGBT的P沟道晶体管也导通,从而使IGBT的输出端电流增大,从而实现IGBT的功率控制。
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