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igbt栅极
IGBT
可以用通俗易懂的语言介绍下吗??谢谢!
答:
IGBT
是英文Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写,全称为绝缘栅双极型晶体管,简称IGBT), 通常用代号“G”表示。主要有集电极(C级),门级(G级),发射级(E级)。IGBT的开关作用是通过加正向
栅极
电压形成沟道,给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流,使IGBT导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断...
IGBT
门极电阻对其损耗的影响?
答:
IGBT
是场效应管和大功率晶体管的复合,所以门极与另外两极之间电阻很大。对IGBT本身消耗功率影响比较大的是开关时间,门极的电容造成的影响。门极电容导致开通时间和关断时间较长,所以处于放大区的时间较长,导致耗散功率较大。要减少耗散功率,就要尽可能提高开关速度,现在的驱动电路都具有这个功能。
有的大中功率变频器驱动电路与
IGBT
之间的电路板有什么作用?
答:
1、驱动电路与IGBT之间的电路板一般是栅极保护板或者是驱动放大板,栅极保护板起到保护
IGBT栅极
,防止电压过高烧毁IGBT的作用。2、电路板的名称有:线路板,PCB板,铝基板,高频板,厚铜板,阻抗板,PCB,超薄线路板,超薄电路板,印刷(铜刻蚀技术)电路板等。电路板使电路迷你化、直观化,对于固定电路...
igbt
管怎么换?
答:
H20R1353可以用H20R1203代换,H20R1203参数:1200V20A1.48Ⅴ;H20R1353参数:1350Ⅴ20A1.6Ⅴ。
IGBT
是电磁炉常常容易损坏的元器件之一,由于 IGBT 管工作在高电压、大电流、温度高状态,一般不超过2000W的电磁炉在相同的条件选择20A~30A的IGBT即可。很多的IGBT内部里面都有阻尼二极管,但是也不保证有些...
在
IGBT
的
栅极
和射极间接的稳压管有什么用
答:
IGBT
的 GE之间的耐压是20V 所以一般在GE之间加个18V双向稳压管,保证GE之间的电压不超过18,以免损坏IGBT
电源里面发
IGBT
和电桥坏了,是什么原因造成的
答:
可能是过流引起过热导致击穿,这种模块的结构类似晶体管 IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定:a.
IGBT栅极
与发射极之间的电压.b.IGBT集电极与发射极之间的电压;c.流过IGBT集电极-发射极的电流;d.IGBT的结温。如果IGBT栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低,则IGBT不能稳定正常地工作,如果过高超过栅极...
如何检查
IGBT
的极性和好坏
答:
IGBT
好坏的检测 IGBT管的好坏可用指针万用表的Rx1k挡来检测,或用数字万用表的“ ”挡来测量PN结正向压降进行判断。检测前先将IGBT管三只引脚短路放电,避免影响检测的准确度;然后用指针万用表的两枝表笔正反测G、e两极及G、c两极的电阻,对于正常的IGBT管,上述所测值均为无穷大;最后用指针万用表...
vgd是什么意思
答:
在导通之前要先对该电容充电,当电容电压超过阈值电压(VGS-TH)时MOSFET才开始导通。这就要求
栅极
驱动的栅极电流足够大,能够瞬时充满MOSFET栅极电容。因此,栅极驱动就是起到驱动开关电源导通与关闭的作用。栅级驱动器作用:绝缘栅极双极晶体管(
IGBT
)是半导体电子元件,可用于高功率设备的快速电子开关。由于...
IGBT
把直流逆变成交流电的工作过程
答:
可正常工作于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。若在
IGBT
的
栅极
和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOS 截止,...
IGBT
在关断的时候,出现这个波形,是怎么回事
答:
当选择这些驱动电路时,必须基于以下的参数来进行:器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为
IGBT栅极
- 发射极阻抗大,故可使用MOSFET驱动技术进行触发,不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大,故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路提供的偏压更高。IGBT在关断过程中,漏极电流的...
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