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igbt栅极
大功率
igbt
模块替换原理
答:
原理:
IGBT
的等效电路如图1所示。从图1可以看出,如果在IGBT的
栅极
和发射极之间施加一个驱动正电压,MOSFET将导通,使得PNP晶体管的集电极和基极处于低阻状态,晶体管将导通。如果IGBT的栅极和发射极之间的电压为0V,则MOSFET关断,切断PNP晶体管基极电流的供应,从而晶体管关断。因此,IGBT的安全性和可靠性...
IGBT
管算三极管吗?
答:
N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为
栅极
。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区(包括P+和P一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区(Subchannel region )。而在漏区另一侧的 P+ 区称为漏注入区(Drain injector ),它是
IGBT
特有的功能区,与漏区和亚...
IGBT
电路中IGBT的
栅极
为什么不接任何电极?是不是省略了?高人教一下!谢...
答:
相反当第二个和第四个IGBT导通,另两个不导通,则电流从输出变压器的右边流到左边。可以看出,这个全桥电路可以改变负载端的电流流向。 这种电桥电路常用是用于直流电机的正反转。 而从这个电路上看,它应该是应用于变频器或者逆变器的交流输出端的。就是可以把直流电通过对四个
IGBT栅极
的控制,输出一定...
IGBT栅极
下面是p区还是n区
答:
这个问题比较复杂,
IGBT
还分为Trench型和Planar型(平面型)。你问的是
栅极
下面,应该是指平面型IGBT。原胞区栅极下面既有N型也有P型,P型区在栅极加正电压的时候会反型,形成反型沟道;N型区位于两个P型区之间,是JFET区,此区的大小影响IGBT的Bv和Vcesat。见图。
变频器lgbt是什么意思
答:
变频器中的lgbt指的是绝缘栅双极型晶体管,全称为Insulate-Gate Bipolar Transistor。lgbt综合了电力晶体管(Giant Transistor—GTR)和电力场效应晶体管(Power MOSFET)的优点,具有良好的特性,应用领域很广泛;
IGBT
也是三端器件:
栅极
,集电极和发射极。IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET...
mosfet 和
IGBT
的
栅极
不是和漏极绝缘的吗,怎么会有驱动电流呢(或者说...
答:
由于MOSFET和
IGBT
的
栅极
与漏极和源极之间都存在寄生电容。器件的开通不是一下完成的,而是栅极电流逐渐给栅极寄生电容充电,充电到阈值电压,器件才开通。同样,器件关断的时候也不是一下完成的,需要使栅极寄生电容放电,栅极电压降低到阈值电压以下,器件才关断。这就是为什么MOSFET和IGBT器件的开关时间。其...
IGBT
用在开关电路中,经常出现
栅极
损坏,就是驱动不开,用万用表测不出好...
答:
IGBT
的测量 l 、判断极性首先将万用表拨在 R×1K 挡,用万用表测量时,若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大,则判断此极为
栅极
( G )。其余两极再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,则判断红表笔接...
IGBT
为什么不能用于开关频率太高的场合?
答:
以下是
IGBT
不能用于开关频率太高的场合的主要原因:1. 内部特性:IGBT的内部结构包括一个绝缘栅和一个PN结,这与其工作原理有关。在开关过程中,IGBT的
栅极
需要充电和放电,这需要一定的时间。这个充电和放电时间会导致IGBT的开关速度相对较慢。因此,IGBT不适合高频开关应用,因为它无法迅速切换。2. 损耗...
怎样判断
IGBT
管的好坏?怎么检测它的引脚?
答:
在测量阻值较小的一次中,则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。2、判断好坏 将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接
IGBT
的集电极(C),红表笔接IGBT的发射极(E),此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下
栅极
(G)和集电极(C),这时IGBT被触发导通,万用表的指针摆...
功率器件 门极和
栅极
有什么区别
答:
在功率器件中,门极(Gate)和
栅极
(Gate)实际上指的是相同的部分,只是名称不同。不同的器件和制造商可能使用不同的术语,但通常情况下,门极/栅极是指用来控制器件的通断或导通状态的电极。这个区别通常出现在不同种类的功率半导体器件中。例如,MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和
IGBT
(绝缘栅...
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