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igbt栅极
什么是
IGBT
管?有什么作用?怎样判断好坏?
答:
将场效应管做为推动管,大功率达林顿管作为输出管。这样两者优点有机的结合成现在的
IGBT
管,功率达1000W以上。IGBT管有:P型、N型,有带阻尼的和无阻尼的。常见的IGBT管的管脚排列,将管脚朝下,标型号面朝自己,从左到右数,1脚:
栅极
或称门极(G),2脚:集电极(c),3脚:发射极(e)。测...
IGBT
的
栅极
驱动电路需满足什么要求
答:
1、合适的驱动电压,+15 V 到 -15V,尖峰电压幅值不能超过20A;2、足够的驱动功率,保证在开通时
IGBT
快速开通;3、合适的关断速度,关断过快会导致du/dt过大,可能引起擎住效应;4、足够的电压隔离能力
IGBT
的
栅极
电压与管子允许的短路时间是什么关系?为什么?
答:
虽然楼上名叫“落木源电子”,是专业做驱动的公司,但我还是不同意楼上所说。
栅极
电压越大,开通的越彻底,开通时间也越短,开关损耗也越小,但是短路时的电流也就大,因此允许短路的时间也就越短。反之,栅极电压越小,开通越不彻底,开通时间也越长,开关损耗也越大,但是短路时的电流就越小,...
IGBT
是什么 怎么分类
答:
1、低功率
IGBT
IGBT应用范围一般都在600V、1KA、1KHz以上区域,为满足家电行业的发展需求,摩托罗拉、ST半导体、三菱等公司推出低功率IGBT产品,实用于家电行业的微波炉、洗衣机、电磁灶、电子整流器、照相机等产品的应用。2、U-IGBT U(沟槽结构)--IGBT是在管芯上刻槽,芯片元胞内部形成沟槽式
栅极
。
IGBT
为什么还要串电阻?
答:
防止误启动:系统在没有接入驱动源的条件下,通过这个电阻可以让栅电极(Gate)和发射极(Emitter)之间的电压得到释放,避免因异物或者电磁辐射等原因产生的误启动。限制栅极电流:当驱动源接入后,若驱动电压突然改变时,GE间的电阻可以限制流向
IGBT栅极
的电流,起到保护IGBT的作用。消除闯入的噪声:这个...
请问
IGBT
驱动电路中
栅极
电阻Rg怎么计算?
答:
这个没有普适的计算公式,也没有定值,是根据实际应用的需要来选取的。一般是选择为数据手册上的测试值的3倍左右。
绝缘栅双极晶体管的
IGBT
的工作特性
答:
IGBT
的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时,漏极电流与
栅极
电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它与GTR 的输出特性相似.也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ...
IGBT
导通条件是什么?
答:
IGBT
是场控器件,它的开通和关断由
栅极
和发射极间的电压uGE决定,当uGE为正,且大于开启电压UGE(th)时,IGBT就可以导通;当栅极与发射极间施加反向电压或者不加信号时,IGBT就被关断。
igbt
驱动的选取方法
答:
8~1.5 不同品牌的IGBT模块可能有各自的特定要求,可在其参数手册的推荐值附近调试。2、栅极电阻功率的确定栅极电阻的功率由
IGBT栅极
驱动的功率决定,一般来说栅极电阻的总功率应至少是栅极驱动功率的2倍。IGBT栅极驱动功率 P=FUQ,其中:F 为工作频率;U 为驱动输出电压的峰峰值;Q 为栅极电荷,...
MOS管和
IGBT
管有什么区别?为什么有些电路用MOS管?而有些电路用IGBT管...
答:
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和
IGBT
(绝缘栅双极性晶体管)是两种不同类型的功率半导体器件,它们在电路设计中有不同的应用和特性。以下是它们之间的主要区别以及为什么选择使用其中之一:1. 架构:- MOSFET:MOSFET是一种场效应晶体管,它基于场效应原理工作。它有一个金属
栅极
、绝缘氧化物层和...
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