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igbt栅极
igbt栅极
电阻会影响开关速度么?
答:
B、 Rg值大——性能与上述相反。
栅极
驱动的布线对防止潜在振荡,减慢栅极电压上升,减小噪音损耗,降低栅极电压或减小栅极保护电路的效率有较大的影响。要注意事项如下:A、 将驱动器的输出级和
IGBT
之间的寄生电感减至最低。B、 驱动板和屏蔽栅极驱动电路要正确放置,以防功率电路和控制电路之间的电感耦合...
IGBT
是什么 怎么分类
答:
1、低功率
IGBT
IGBT应用范围一般都在600V、1KA、1KHz以上区域,为满足家电行业的发展需求,摩托罗拉、ST半导体、三菱等公司推出低功率IGBT产品,实用于家电行业的微波炉、洗衣机、电磁灶、电子整流器、照相机等产品的应用。2、U-IGBT U(沟槽结构)--IGBT是在管芯上刻槽,芯片元胞内部形成沟槽式
栅极
。
IGBT栅极
电阻是什么
答:
IGBT
的
栅极
电阻是连接到IGBT内部G极的电阻,其中又有外部和内部之分,外部栅极电阻是驱动板上外接的电阻,内部栅极电阻每个IGBT内部集成固有的,具体值可以查看技术手册。IBGT的栅极电阻影响IGBT开关快慢及开关损耗。
为什么
IGBT
驱动电路中要接电阻?
答:
防止误启动:系统在没有接入驱动源的条件下,通过这个电阻可以让栅电极(Gate)和发射极(Emitter)之间的电压得到释放,避免因异物或者电磁辐射等原因产生的误启动。限制栅极电流:当驱动源接入后,若驱动电压突然改变时,GE间的电阻可以限制流向
IGBT栅极
的电流,起到保护IGBT的作用。消除闯入的噪声:这个...
igbt
模块的注意事项
答:
由于
IGBT
模块为MOSFET结构,IGBT的
栅极
通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。 因此使用中要注意以下几点:1. 在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子时,要先将人体或衣服上的...
igbt
驱动的简介
答:
在此根据长期使用 IGBT 的经验并参考有关文献对 IGBT 的门极驱动问题做了一些总结,希望对广大 IGBT 应用人员有一定的帮助。1 IGBT 门极驱动要求1.1 栅极驱动电压因
IGBT 栅极
- 发射极阻抗大,故可使用 MOSFET 驱动技术进行驱动,但 IGBT 的输入电容较 MOSFET 大,所以 IGBT 的驱动偏压应比 ...
IGBT栅极
没加电阻为什么会炸
答:
不知道你说的是驱动电阻RG还是G极对E极的释放电荷的电阻,所以分两部分说。首先,
IGBT
的输入阻抗很高,即使是空间杂散电场也会导致IGBT导通,何况还有从C极传导过来的微弱漏电流,所以一定要加上G极对E极的释放电荷的电阻。第二,如果是没加驱动电阻RG则会导致IGBT的DI/DT或DU/DT太大,当这两个值...
大功率
igbt
模块替换原理
答:
原理:
IGBT
的等效电路如图1所示。从图1可以看出,如果在IGBT的
栅极
和发射极之间施加一个驱动正电压,MOSFET将导通,使得PNP晶体管的集电极和基极处于低阻状态,晶体管将导通。如果IGBT的栅极和发射极之间的电压为0V,则MOSFET关断,切断PNP晶体管基极电流的供应,从而晶体管关断。因此,IGBT的安全性和可靠性...
功率器件 门极和
栅极
有什么区别
答:
在功率器件中,门极(Gate)和
栅极
(Gate)实际上指的是相同的部分,只是名称不同。不同的器件和制造商可能使用不同的术语,但通常情况下,门极/栅极是指用来控制器件的通断或导通状态的电极。这个区别通常出现在不同种类的功率半导体器件中。例如,MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和
IGBT
(绝缘栅...
IGBT
电路中IGBT的
栅极
为什么不接任何电极?是不是省略了?高人教一下!谢...
答:
相反当第二个和第四个IGBT导通,另两个不导通,则电流从输出变压器的右边流到左边。可以看出,这个全桥电路可以改变负载端的电流流向。 这种电桥电路常用是用于直流电机的正反转。 而从这个电路上看,它应该是应用于变频器或者逆变器的交流输出端的。就是可以把直流电通过对四个
IGBT栅极
的控制,输出一定...
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