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igbt结构
IGBT
是什么
答:
IGBT结构图左边所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构
, N+ 区称为源区,附于其上的电极称为源极。P+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区( Subchannel region )。而在漏...
什么是
IGBT
?
答:
IGBT是一种功率器件,结构类似于MOSFET,但也具有BJT低压降的特点
。其主要特点是输电损耗低、效率高、可靠性高、散热能力强以及寿命长等,适用于多个领域。需要注意的是,选用IGBT时应根据实际需求进行正确的选择,以达到最佳性价比。IGBT,全称是Insulated Gate Bipolar Transistor, 半导体器件,是一种用于...
半导体
IGBT
模块内部
结构
的详解;
答:
让我们深入到IGBT的微观世界:每个IGBT芯片采用纵向结构
,集电极沉稳地坐落在下方,电流从下至上流动,如同设计者精心编织的电流舞曲。在高达100℃的极端条件下,单个芯片能处理高达117.5A的电流,总计1412A,与官方数据严丝合缝。每个IGBT内部集成有11.5Ω的电阻,而DBC间共享的电阻仅为1.6Ω,这正是高...
igbt
内部
结构
过热和过流的区别
答:
IGBT 具有平面式栅极结构
,也就是说,在导通状态下导电沟道是横向的(水平的)。平面栅极(在现代高密度晶体管中发展为双重扩散栅极)仍是目前 IGBT 中占统治地位的栅极结构。
平面式 IGBT结构是从微电子技术移植而来的
,其集电极由 P+阱区构成,位于芯片表面。负载电流水平地流经芯片。借助于一个氧化层...
IGBT
管算三极管吗?
答:
1.IGBT的基本结构:绝缘栅双极晶体管(IGBT)本质上是一个场效应晶体管,只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层
。根据国际电工委员会的文件建议,其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名。N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+区称为源区,附于其上的电极称为源极。 N+ 区称为漏区。器件...
igbt
的
结构
和工作的原理是什么
答:
结构
:
IGBT
通常有三主要区域:1. N-型区域:这是一个高掺杂的N型半导体区域,通常是硅材料。它在IGBT中充当导电的层。2. P-型区域:这是一个P型半导体区域,相对轻掺杂,位于N-型区域中。这一区域的电子和空穴起着控制电流的作用。3. N+型区域:这是又一个高掺杂的N型半导体区域,位于P-型...
IGBT
同GTO的分别,好,坏处??
答:
从此图中可明显看出
IGBT
是由电晶体与场效电晶体组成的达零顿
结构
元件。因图中之电晶体为PNP型电晶体,场效电晶体为N通道场效电晶体,因此此种结构便称为N通道绝缘闸双极性电晶体,符号为N-IGBT;类似的还有P通道绝缘闸双极性电晶体,符号为P-IGBT。 图片参考:emotors.ncku.edu/motor_learn/e_news...
MOSFET与
IGBT
每部构造的区别?
答:
结构 IGBT结构图左边所示为一个N沟道增强型
绝缘栅双极晶体管
结构, N+区称为源区,附于其上的电极称为源极。P+区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区 (包括P+和P-区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区(Subchannel region)。而在漏区另...
igbt
如何实现功率放大?求原理图。
答:
IGBT
基本
结构
见图1中的纵剖面图及等效电路。 导通IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似,主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。如等效电路图所示(图1),其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和N+ 区之间创建了一个J1结。 当正栅偏压使...
igbt
属于什么器件
答:
IGBT
的
结构
包括一个绝缘栅和一个双极型晶体管的PNP结构。这意味着它具有很高的输入阻抗和较高的开关速度。通过控制栅极电压,可以控制IGBT的开关状态,使其在高电压下也能保持快速且高效的性能。这种独特的设计使得它在功率控制领域具有广泛的应用前景。三、IGBT的应用领域 由于IGBT的高性能特点,它在许多...
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