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igbt结构
IGBT
和电力MOSFET的内部
结构
和开关特性的相似与不同之处
答:
IGBT
与MOSFET
结构
上的差别只是IGBT在VDMOS的背面增加了一个P型层。但就是增加了这么一个P型层,导致IGBT和MOSFET具有不同的工作机理和特性。由于IGBT背面有一个P型层,IGBT在开通状态时,其N-漂移区能会发生强烈的电导调制效应,就是因为这个电导调制效应,导致IGBT的导通电阻约是MOSFET的1/3,其导通...
IGBT
为什么不能用于开关频率太高的场合?
答:
IGBT
(绝缘栅双极型晶体管)是一种功率半导体器件,主要用于高电压和高电流应用,如电力电子、电机驱动和逆变器等。虽然IGBT在许多应用中非常有用,但它也有一些限制,其中之一是开关频率的限制。以下是IGBT不能用于开关频率太高的场合的主要原因:1. 内部特性:IGBT的内部
结构
包括一个绝缘栅和一个PN结,...
IGBT
模块与IGBT单管有什么不同
答:
IGBT
单管为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管
结构
, N+ 区称为源区,附于其上的电极称为源极。P+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区( Subchannel region ...
N-
IGBT
的检测方法以及检测原理
答:
N-
IGBT
的检测方法 工具/原料 万用表 1K电阻 方法/步骤 先了解一下IGBT内部
结构
,IGBT有三个电极,分别是G,C,E极,G极跟C,E极绝缘,C极跟E极绝缘。常见的IGBT管在C极和E极里面集成了一个阻尼二极管,万用表笔可以测到这个二极管。常见的IGBT管管脚排列顺序如下图所示,从左到右分别是G,C,E....
为什么
igbt
正温度特性
答:
有两个器件的净效率。
igbt结构
中含有一个双极MOSFET和一个功率MOSFET,因此igbt上具有两个器件的净效率,这会使igbt的温度系数持正温度特性。
IGBT
是指什么?
答:
虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比
IGBT
技术高出很多。较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的
结构
,同一个标准双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图。IGBT基本结构见图1中的纵剖面图及等效电路。IGBT硅片...
MOSFET与
IGBT
每部构造的区别?
答:
IGBT结构
图左边所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+区称为源区,附于其上的电极称为源极。P+区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区 (包括P+和P-区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区(Subchannel region)。而在漏区另一侧的...
晶闸管和
IGBT
有什么区别?
答:
1、名称不同:晶闸管简称为SCR,
IGBT
的中文名称为绝缘栅双极型晶体管。2、材料不同: IGBT为全控型器件,SCR为半控型器件。3、控制方式不同: SCR是通过电流来控制,IGBT通过电压来控制。SCR需要电流脉冲驱动开通,一旦开通,通过门极无法关断。4、开关频率不同: SCR的开关时间较长,所以频率不能...
IGBT
有哪些?
答:
IGBT
成为绝缘栅型场效应管 GTO 门极可关断晶闸管 GTR 巨型晶闸管 MOSFET 如果你采用的是王兆安的第五版的 那么书上的结论如下:1.GTO的驱动电路:分为脉冲变压器耦合式和直接耦合两种,直接耦合应用范围广,但是功耗大,效率低。给出的例子就是其驱动特点:原方N1到副方N2出项两种导通:正向:C3放电—...
IGBT
单管、 IGBT模块、 PIM模块和IPM模块有什么区别?
答:
2.
IGBT
模块:IGBT模块集成了一个或多个IGBT单管,通常包括IGBT、驱动电路、保护电路和散热
结构
。这些模块被设计成更容易集成到系统中,以减少电路设计和组装的复杂性。IGBT模块通常用于需要高功率开关的应用,如工业变频器和电力电子系统。3. PIM模块(Power Integrated Module):PIM模块是一种集成了多种...
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