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igbt结构图
讨论功率半导体器件
IGBT
时提到“元胞”,请问“元胞”是什么?
答:
元胞是
IGBT
及VDMOSFET器件中的关键
结构
,如图2。图1是每一个元胞的剖面图。元胞结构是为了降低导通压降。因为元胞结构的布局、几何形状及尺寸、元胞密度及芯片面积决定了导通压降,导通压降又是影响器件输出功率的重要参数。即该结构的功能是最大可能地降低导通压降、增加输出功率。通常每个元胞的电流容量...
IGBT
模块是什么东西?有什么用?
答:
IGBT
综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管
结构
, N+ 区称为源区,附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区...
igbt
内部
结构
过热和过流的区别
答:
1. IGBT在结构 IGBT在结构上类似于MOSFET,其不同点在于IGBT是在N沟道功率MOSFET的N+基板(漏极)上增加了一个 P+基板(IGBT 的集电极),形成PN 结 J1,并由此引出漏极,栅极和源极则完全与MOSFET相似。如下图所示。2.
IGBT结构
原理介绍 正是由于 IGBT 是在 N 沟道MOSFET 的N+基板上加一层P+...
半导体
IGBT
模块内部
结构
的详解;
答:
让我们深入到
IGBT
的微观世界:每个IGBT芯片采用纵向
结构
,集电极沉稳地坐落在下方,电流从下至上流动,如同设计者精心编织的电流舞曲。在高达100℃的极端条件下,单个芯片能处理高达117.5A的电流,总计1412A,与官方数据严丝合缝。每个IGBT内部集成有11.5Ω的电阻,而DBC间共享的电阻仅为1.6Ω,这正是高...
电磁炉
igbt
是什么?
答:
目前有用不同材料及工艺制作的
IGBT
,但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合
结构
。IGBT有三个电极(见上图),分别称为栅极G(也叫控制极或门极)、集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极)。从IGBT的下述特点中可看出,它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷,就是于高压大电流工作时...
全控型器件的绝缘栅双极晶体管(
IGBT
)
视频时间 00:59
IGBT
模块的工作原理?
答:
IGBT
工作原理:IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。由此可知,IGBT的安全可靠与否...
半导体
IGBT
模块内部
结构
的详解;
答:
1. 半导体
IGBT
模块:内部
结构
详解 2. IGBT,现代轨道交通的重要推动者,拥有着精密复杂的内部结构。3. 以英飞凌PrimePACK 3封装的IGBT模块为例,每个模块包含两个半桥模块,规格达到1.7kV/1.4kA。4. 模块外部,功率和控制端子的连接坚固;内部,散热成为核心关注。5. 散热基板,无论是铜质还是AlSiC...
IGBT
工作原理
答:
IGBT
消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT技术高出很多。较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的
结构
,同一个标准双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图。
什么是
IGBT
?它的作用是什么?
答:
IGBT
(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种半导体功率开关器件,结合了双极晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)的特性。IGBT的作用是在高电压和高电流应用中实现电能的控制和转换。它的主要作用包括:1. 电能控制:IGBT具有电流控制能力,能够控制电流的流动,使其非常适用于需要高电流和高电压控制的...
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