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igbt结构
igp是什么元件
答:
虽然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比
IGBT
技术高出很多。较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的
结构
,同一个标准双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图。导通IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似,主要...
IGBT
开关的基础知识
答:
图3所示是理解器件在工作时的物理特性所需的结构元件(寄生元件不考虑在内)。 如图所示,IC是VCE的一个函数(静态特性),假如阴极和阳极之间的压降不超过0.7V,即使栅信号让MOSFET沟道形成(如图所示),集电极电流IC也无法流通。当沟道上的电压大于VGE -Vth 时,电流处于饱和状态,输出电阻无限大。由于
IGBT结构
中含有一个...
igbt
如何实现功率放大?求原理图。
答:
图3所示是理解器件在工作时的物理特性所需的结构元件(寄生元件不考虑在内)。 如图所示,IC是VCE的一个函数(静态特性),假如阴极和阳极之间的压降不超过0.7V,即使栅信号让MOSFET沟道形成(如图所示),集电极电流IC也无法流通。当沟道上的电压大于VGE -Vth 时,电流处于饱和状态,输出电阻无限大。由于
IGBT结构
中含有一个...
高铁中的
IGBT
是什么?
答:
IGBT
是可控器件,即可通过开关信号控制它的门极实现CE间输出关断。现在热门的高铁、风电、光伏、电动汽车等新能源行业中DC-AC的开关器件,将母线上的直流电转化为交流输出,也就是常说的逆变单元。相近应用的元件比较,IGBT较GTO具备更高的开关频率,较MOS具备更高的耐压。IGBT相对于MOSFET的缺点有二:1...
比亚迪造起芯片来有多野?深扒了他的专利家底我发现……
答:
借助于incoPat专利数据平台,我们将比亚迪IGBT专利数据进行文本聚类,绘制了一份技术研发重点专利地形图,图中深色等高线部分表示比亚迪专利技术研发密集区。 从这份专利地图中,如果你是技术硬核,可以看懂比亚迪的IGBT专利重点包括:
IGBT结构
、散热、IGBT芯片、IGBT模组、覆铜陶瓷基板(DBC substrate)、电控技术等。 模组研发其实...
IGBT
封装过程中有哪些关键点?
答:
由于
IGBT
的芯片通常都比较大,长会达到10mm-20mm,并且DBC的尺寸通常在20mm-40mm,如此大的焊接面积,给焊接材料中的挥发物挥发造成很大困难。因此IBGT焊接层的空洞成为人们极力解决的问题。而对于IGBT高可靠性的要求,空洞率必然是封装环节的一个重要控制因素。通常小家电、普通电气装备用的IGBT要求空洞率<...
基本的半导体器件有哪些?它们的
结构
、工作原理、功能特点?
答:
基本的半导体器件主要有以下几种:pn结二极管,金属氧化物场效应晶体管(MOS),双极晶体管(BJT),结型场效应晶体管。pn结二极管
结构
:其中pn结二极管由n型半导体和p型半导体接触产生。工作原理:由于二者接触后产生由n型半导体指向p型半导体的内建电场,当外加电压由n型半导体指向p型半导体时进一步增强了其...
IGBT
具体用途哪里?
答:
图3所示是理解器件在工作时的物理特性所需的结构元件(寄生元件不考虑在内)。 如图所示,IC是VCE的一个函数(静态特性),假如阴极和阳极之间的压降不超过0.7V,即使栅信号让MOSFET沟道形成(如图所示),集电极电流IC也无法流通。当沟道上的电压大于VGE -Vth 时,电流处于饱和状态,输出电阻无限大。由于
IGBT结构
中含有一个...
igbt
带阻尼和不带阻尼的区别
答:
igbt
带阻尼和不带阻尼的区别阻尼的作用、电路
结构
、实现难度、性能表现。1、阻尼的作用:阻尼电路可以在
IGBT
关闭时,在其输出端产生反向电压,从而减少电压剩余。这样可以降低设备的开关噪声,减少开关干扰和谐波干扰,并提高设备的稳定性和可靠性。2、电路结构:带阻尼的IGBT电路中,通常在IGBT的并联二极管上...
igbt
模块的注意事项
答:
由于
IGBT
模块为MOSFET
结构
,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。 因此使用中要注意以下几点:1. 在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子时,要先将人体或衣服上的...
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