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igbt结构
影响G80N60输出的是什么,怎么影响的
答:
几年当中,这种在采用PT设计的外延片上制备的DMOS平面栅
结构
,其设计规则从5微米先进到3微米。 90年代中期,沟槽栅结构又返回到一种新概念的
IGBT
,它是采用从大规模集成(LSI)工艺借鉴来的硅干法刻蚀技术实现的新刻蚀工艺,但仍然是穿通(PT)型芯片结构。[4]在这种沟槽结构中,实现了在通态电压和关断时间之间折衷的...
IGBT
管发射极和集电极接反会烧坏管子吗?
答:
如果发射极和集电极的电压极性反转,
IGBT
可能会进入不正确的工作状态,导致大电流通过器件,产生大量热量。这样的情况可能会导致IGBT过热,损坏其内部
结构
,甚至引发器件的永久损坏。因此,在使用IGBT时,必须非常小心,确保正确连接和极性。要防止IGBT损坏,建议遵循制造商提供的规格和连接图表,以确保正确连接...
变频器lgbt是什么意思
答:
IGBT
具有非常低的导通压降与优秀的导通电流密度,所以可以使用更小尺寸的器件从而降低成本,因为栅极
结构
使用MOS管的同类设计,所以驱动功率非常小,驱动电路也很简单,与可控硅/BJT这些电流控制型器件来比,在高压与高电流应用场景,IGBT非常易于控制。以上内容参考:百度百科-绝缘栅双极晶体管 ...
二单元
igbt
模块正极跟哪根是相连接的
答:
有“+”符号的引脚相连接。在二单元
IGBT
模块上,通常会标注有“+”和“-”符号,用来标识正极和负极的引脚,而门极的引脚通常是没有标识的。其内部
结构
由两个IGBT和一个自由轮组成,可以实现高速开关和电压控制,具有高效、可靠、稳定的特点。在使用二单元IGBT模块时,需要注意模块的正负极的连接,正确...
电焊机lgbt管工作原理?
答:
电焊机之
IGBT
系列焊机工作原理 一、 功率开关管的比较 常用的功率开关有晶闸管、IGBT、场效应管等。其中,晶闸管(可控硅)的开关频率最低约1000次/秒左右,一般不适用于高频工作的开关电路。1、效应管的特点:场效应管的突出优点在于其极高的开关频率,其每秒钟可开关50万次以上,耐压一般在500V以上,耐...
IGBT
的温度特性是什么啊?
答:
热敏电阻一般采用负温度系数(NTC),且每种温度采集方式也都各自有优缺点,温度检测常用有压环式热敏电阻测温、插件式热敏电阻测温和贴片式热敏电阻测温。插件式热敏电阻测温的NTC是直接焊在PCB上,通常采用玻璃封装的插件NTC,NTC装在一个小硅胶壳里面,硅胶壳里再填上导热硅脂。
IGBT
倒在热敏电阻上面,...
晶闸管和
IGBT
有什么区别?
答:
控制极的控制电压的性质、幅度、宽度、作用都不一样;1、比如,SCR晶闸管,它的控制电压相对阴极为正极性脉冲,脉冲宽度大约5μs ,幅度5v--10v;2、SCR晶闸管只能触发导通,不能触发关断,称之为半控器件;3、
IGBT
晶闸管,其
结构
为绝缘栅双极场效应晶体管,可以触发导通,也可以触发管断,所以称为全...
IGBT
驱动和MOS有什么不同
答:
igbt
是达林顿
结构
,mos不是。igbt和mos都需要一定的门槛电压(vgsth)来触发打开 但是由于igbt的达林顿结构导致寄生电容偏大,故需要一定的门极驱动能力,mos相对较小。相对的,igbt的开关频率普遍较低(30~50k以下)而电流较大(可达1000a)。mosfet的开关频率可达500k,而rms电流普遍较低(一般不超过100a...
igbt
模块的发展历史
答:
1979年,MOS栅功率开关器件作为
IGBT
概念的先驱即已被介绍到世间。这种器件表现为一个类晶闸管的
结构
(P-N-P-N四层组成),其特点是通过强碱湿法刻蚀工艺形成了V形槽栅。80年代初期,用于功率MOSFET制造技术的DMOS(双扩散形成的金属-氧化物-半导体)工艺被采用到IGBT中来。[2]在那个时候,硅芯片的结构是...
打破
IGBT
枷锁 ,解除中国汽车真正的“紧箍咒”
答:
其实,围绕着
IGBT
是一个长链条的产业
结构
,包括产品设计、芯片制造、封装测试、可靠性试验、系统应用等多个环节。所以,但凡投资,皆是以产业化基地的形式。在自研IGBT的道路上,我们需要攻克“设计门槛高、制造技术难、资金投入大”等问题。比如,IGBT每道生产工艺需要专门的设备,最开始必须找国外进口,但...
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