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绝缘栅双极晶体管是由什么构成的
全控型器件的
绝缘栅双极晶体管
(
IGBT
)
视频时间 00:59
IGBT是
什么
答:
IGBT
(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,
是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件
, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。
igbt属于
什么
器件
答:
IGBT是一种绝缘栅双极晶体管电子元件
。IGBT(绝缘栅双极晶体管),绝缘栅双极晶体管,由双极晶体管(BJT)和绝缘栅场效应晶体管(金属氧化物半导体,MOS)组成,具有金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的高输入阻抗和巨晶体管(GTR)的低导通压降的优点。GTR饱和电压降低,载流密度高,但驱动电流大;MOSFET的...
IGBT是
什么
元件
答:
IGBT
,绝缘栅双极型晶体管,
是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件
, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大。MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上...
IGBT是
什么
怎么分类
答:
IGBT
(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,
是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件
, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通...
lgw40t60u是
什么管
?
答:
是三极管
IGBT
(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由
BJT(双极型三极管)和MOS
(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
绝缘栅双极晶体管是由什么
和电力晶体管优点复合而成
答:
单极性的MOS和双极型晶体管复合而成。1、绝缘栅双极晶体管综合了电力晶体管和电力场效应晶体管的优点,具有良好的特性,应用领域很广泛;
IGBT
也是三端器件:栅极,集电极和发射极。2、绝缘栅双极晶体管综合了电力晶体管和电力场效应晶体管的优点,具有良好的特性,应用领域很广泛;IGBT也是三端器件:栅极,...
igbt模块
IGBT
模块简介
答:
IGBT
,即绝缘栅双极型晶体管,是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件,它巧妙地结合了BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)的优点。它具有MOSFET的高输入阻抗,这使得其在控制电流时表现出低耗能特性;同时,它也继承了GTR的低导通压降特性,使得在大电流传输时能保持高效能。IGBT在600V...
IGBT管算三极管吗?
答:
广义的讲,
IGBT
也可以说是三极管,是一种特殊的三极管。1.IGBT的基本结构:绝缘栅双极晶体管(IGBT)本质上是一个场效应晶体管,只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层。根据国际电工委员会的文件建议,其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名。N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+区称为源区...
请问一下 电磁炉电路板里的IGBT是个
什么
元件
答:
hehe528528 说的是正确的,补充一下,
igbt
是vmos和bjt组成,vmos是V型场效应管,电压驱动器件,输入阻抗高,但是输入电容大, igbt是voms在前,bjt在后,好处是在高压大电流应用的时候,后级的bjt压降小,导通电阻的,效率高,而前级由于使用vmos所以驱动功耗小,不过需要注意的是igbt的速度比普通的vmos...
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