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绝缘栅双极晶体管是以什么作为栅极
绝缘栅双极
型
晶体管是以什么
为
栅极
答:
绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极
,绝缘栅双极晶体管综合了电力晶体管和电力场效应晶体管的优点,具有良好的特性,应用领域很广泛。
IGBT
也是三端器件:栅极,集电极和发射极。二、绝缘栅双极型晶体管有何优点对于新人工程师而言,掌握绝缘栅双极型晶体管原理知识是非常重要的,这将会对工程...
绝缘栅双极
型
晶体管是以什么作为栅极
的
答:
绝缘栅双极型晶体管就是我们通常所说的IGBT
,它的基本原理是由一个MOS管和一个晶体管构成的复合管。控制原理是控制MOS管的栅极,再由MOS管控制晶体管的通断。这里是利用了MOS管的高阻抗输入电压(电场)控制特性和晶体管的大电流特性。因为它的栅极实际上就是内部MOS管的栅极。
绝缘栅双极晶体管
的
IGBT
的结构与工作原理
答:
图1所示为一个N 沟道增强型
绝缘栅双极晶体管
结构, N+ 区称为源区,附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为
栅极
。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区( Subchannel region )...
IGBT管算三极管吗?
答:
绝缘栅双极晶体管(
IGBT
)本质上是一个场效应晶体管,只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层。根据国际电工委员会的文件建议,其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名。N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+区称为源区,附于其上的电极称为源极。 N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区,...
电磁炉配件igbt是
什么
,有什么作用?
答:
你好,绝缘栅双极晶体管(IusulatedGateBipolarTransistor)
简称IGBT
,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。目前有用不同材料及工艺制作的IGBT,但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。IGBT有三个电极(见上图),分别称为...
igbt工作原理
答:
IGBT
(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT工作原理:IGBT由栅极(G)、发射极(E)和集电极(C)三个极控制。IGBT的开关作用是通过...
igbt和碳化硅区别
答:
IGBT
,即绝缘栅双极晶体管,是一种由硅材料制成的功率半导体器件。它通过控制栅极电压来调控集电极与发射极之间的电流。硅作为第一代半导体材料,其技术成熟且成本相对较低,但受限于硅的物理特性,如较低的热导率和较窄的禁带宽度,IGBT在高温、高频率和高功率应用下存在一定的局限性。碳化硅(SiC),...
igbt是
什么
答:
IGBT
(Insulated Gate Bipolar Transistor),中文名为绝缘栅双极型晶体管。它是功率电子技术领域中一种重要的半导体器件,将MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管(BJT)的高电导性状结合在一起。外部形式上看,IGBT的管脚分别是集电极(Collector),发射极(Emitter),栅极(Gate)。集电极和发射极共同决定了器件的...
rjp6065 是
什么
电子元件
答:
绝缘栅双极
型
晶体管是
由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,它融合了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,在...
变频器维修的技术系列
答:
2、 绝缘栅双极晶体管(
IGBT
) IGBT是MOSFET和GTR相结合的产物,是栅极为绝缘栅结构(MOS结构)的晶体管,它的三个极分别是集电极C、发射极E和栅极G。工作特点是,控制部分与场效应晶体管相同,控制信号为电压信号Uge,输入阻抗很高,栅极电流I≈0,故驱动功率很小。而起主电路部分则与GTR相同,工作电流为集电极电流I。
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