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绝缘栅双极晶体管是由什么构成的
igbt的栅极驱动条件对其特性有
什么
影响
答:
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),
绝缘栅双极
型
晶体管
,是由BJT(双极 型 三极管 )和MOS(绝缘栅型场效应管 )
组成的
复合 全控 型 电压 驱动式 功率 半导体器件,兼有MOSFET的高 输入阻抗 和GTR的低 导通 压降 两方面的 优点 。GTR饱和压降低,载流 密度 大,但驱动电流较大;MOSFET驱动...
IGBT是
什么
意思?
答:
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),
绝缘栅双极
型
晶体管
,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)
组成的
复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降...
IGBT是
什么
怎么分类
答:
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),
绝缘栅双极
型
晶体管
,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)
组成的
复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通...
g4pc40f是
什么
电子元件
答:
g4pc40f,英文意思是“由超快软恢复二极管做成的、N沟、
绝缘栅双极晶体管
”具体解释是:绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)
组成的
复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流...
igbt是
什么
答:
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),
绝缘栅双极
型
晶体管
,是由(Bipolar Junction Transistor,BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(Metal Oxide Semiconductor,MOS)
组成的
复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(Giant Transistor,GTR)的低导通压降两...
IGBT是
什么
元件
答:
IGBT,
绝缘栅双极
型
晶体管
,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)
组成的
复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大。MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上...
什么
是IGBT单管
答:
IGBT单管究竟是什么呢?IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),
绝缘栅双极
型
晶体管
,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)
组成的
复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小...
igbt的工作原理
答:
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),
绝缘栅双极
型
晶体管
,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)
组成的
复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降...
igbt的驱动电路有
什么
特点
答:
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),
绝缘栅双极
型
晶体管
,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)
组成的
复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通...
请问IGBT是二极管还是三极管?
答:
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),
绝缘栅双极
型
晶体管
,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)
组成的
复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降...
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