55问答网
所有问题
当前搜索:
绝缘栅双极晶体管是由什么构成的
绝缘栅双极晶体管的
简介
答:
绝缘栅双极晶体管
(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)综合了电力晶体管(Giant Transistor—GTR)和电力场效应晶体管(Power MOSFET)的优点,具有良好的特性,应用领域很广泛;IGBT也是三端器件:栅极,集电极和发射极。 IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS结构双极器件,属于具有功率MOSFET的高速...
igbt是
什么
类型的器件
答:
IGBT是
绝缘栅双极
型
晶体管
,它是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件。首先,从构造上来看,IGBT可以视为由MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)与双极型晶体管组合而成,因此它同时具备了这两种器件的优点。IGBT的开关速度高、输入阻抗大,并且在导通状态时具有低的导通压降,这些特点使其在电力电子...
电磁炉IGBT是
什么管
啊?
答:
IGBT叫
绝缘栅双极晶体管
。IGBT可以简单理解成一种高性能的开关管,在很多需要变流的场所使用,比如变频器,电源电路等,一般电机控制环境使用比较多,讲白了,就是一个可以快速开启和断开电压电流的电子开关。电磁炉之所以使用它,是因为电磁炉需要把普通的50HZ交流电,变成20-40KHZ的高频交流电,先把50HZ的...
绝缘栅双极晶体管是由
GTR和MOSFET复合而成,那么在工作时,是由谁驱动...
答:
由MOS管(前级)驱动
双极
型晶体管(后级),所以同时具有MOS管的高输入阻抗和双极型
晶体管的
大电流特点。
igbt工作原理
答:
IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT技术高出很多。较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,同一个标准
双极
器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图。
IGBT模块与IGBT单管有
什么
不同
答:
IGBT单管为一个N 沟道增强型
绝缘栅双极晶体管
结构, N+ 区称为源区,附于其上的电极称为源极。P+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区( Subchannel region ...
绝缘栅双极
型
晶体管是
以
什么
为栅极
答:
首先绝缘栅双极型
晶体管是
以电力场效应晶体管栅极为栅极,其次绝缘栅双极型晶体管的优点有开关速度快、工作频率高、热稳定性好等。具体的绝缘栅双极型晶体管小知识,继续往下看看吧!一、绝缘栅双极型晶体管是以什么为栅极
绝缘栅双极晶体管
综合了电力晶体管和电力场效应晶体管的优点,具有良好的特性,那么...
igbt
什么
意思?
答:
IGBT 是 Insulated Gate Bipolar Transistor 的简称,中文可以翻译为“
绝缘栅双极晶体管
”。它是一种功率电子设备,应用于许多高功率开关电源和电力控制应用中。IGBT 的主体是一个双极型晶体管,而它的控制部分(即“门极”)则采用了场效应晶体管(FET)的工作原理。IGBT 结合了双极晶体管(BJT)低导通...
功率器件有
哪些
答:
功率器件主要包括以下几种:1. 双极型
晶体管
(BJT)2.
绝缘栅双极
型晶体管(IGBT)3. 功率场效应晶体管(Power MOSFET)4. 晶体闸流管(Thyristor)等。双极型晶体管(BJT)是最常用的一种功率器件,它具有高电流处理能力,适用于放大和高功率应用。它由三层半导体材料
构成
,通过控制基极电流来控制...
电工的基本知识和理论是
什么
?
答:
3、
绝缘栅双极晶体管
(IGBT)是一种由单极性的MOS和双极型晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点,属于电压型驱动器件。特点是:输入阻抗高;工作频率高;驱动功率小;具有大电流处理能力;饱和压降低、功耗低,是一种很有发展前途的新型功率电子器件。4、电力
晶体管是
一种双极型大功率晶体...
<涓婁竴椤
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
涓嬩竴椤
灏鹃〉
其他人还搜
绝缘栅
igbt栅极
绝缘栅双极晶体管是由什么构成的
绝缘栅双极型晶体管是以什么为栅极