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绝缘栅双极晶体管简称
绝缘栅双极
型
晶体管简称
答:
IGBT
。绝缘栅双极型晶体管简称IGBT,是由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
请介绍一下
绝缘栅双极
型
晶体管
的特性及其用途?
答:
绝缘栅双极晶体管缩写
IGBT
IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了R...
什么是IGBT?它的作用是什么?
答:
IGBT是英文单词Insulated
Gate Bipolar Transistor,它的中文意思是绝缘栅双极型晶体管。从功能上来说,IGBT就是一个电路开关,优点就是用电压控制,饱和压降小,耐压高。用在电压几十到几百伏量级、电流几十到几百安量级的强电上的。而且IGBT不用机械按钮,它是由计算机控制的。所以有了IGBT这种开关,...
美的电磁炉与加热磁盘相连的大管子是什么?如何检测其好坏?
答:
是IGBT管
,分三个极分别是G/C/E,正常情况下G到E是通的,反之不通.如果管子内附二极管,E到C是通的,反之不通.如果没有内附二极管,EC间正反向都不通.CG间正反向都不通.希望对你有所帮助
GTO,BJT,Power-MOSFET,
IGBT
,MCT,IGCT英文拼写
答:
BJT(Bipolar
Junction Transistor )双极结型三极管 Power-MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)金属氧化物半导体场效应管
IGBT
(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管 IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)集成门极换流晶闸管 MCT看参考资料,有很多解释 百度...
IGBT
上电前G,E是不是要先短接
答:
绝缘栅双极晶体管简称
IGBT
,G是它的栅极,栅极所能承受的电压很低,一般工作电压0~15V,最高也只有0~35V,它非常怕静电击穿,所以安装前G,E要短接,(不是上电前G,E要先短接),安装好之后要安全些,因为IGBT的应用线路设计,对G都有保护措施,如加稳压二极管,电阻等。
IGBT可以用通俗易懂的语言介绍下吗??谢谢!
答:
Bipolar Transistor的缩写,全称为绝缘栅双极型晶体管,
简称IGBT
), 通常用代号“G”表示。主要有集电极(C级),门级(G级),发射级(E级)。IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流,使IGBT导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT关断。
这个是什么元件
答:
IGBT
结构是一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构,N+区称为源区,附于其上的电极称为源极。P+区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+和P 一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区( Subchannel region )。而...
变频器lgbt是什么意思
答:
变频器中的lgbt指的是绝缘栅双极型晶体管,全称为Insulate-Gate Bipolar Transistor。lgbt综合了电力晶体管(Giant Transistor—GTR)和电力场效应晶体管(Power MOSFET)的优点,具有良好的特性,应用领域很广泛;
IGBT
也是三端器件:栅极,集电极和发射极。IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET...
电磁炉igbt是什么?
答:
绝缘栅双极晶体管(IusulatedGateBipolarTransistor)
简称IGBT
,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。目前有用不同材料及工艺制作的IGBT,但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。IGBT有三个电极(见上图),分别称为栅极G(也...
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绝缘栅双极型晶体管简称为
绝缘栅双极晶体管的英文缩写
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金属氧化物半导体场效应晶体管
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