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绝缘栅双极晶体管是以什么作为栅极
半导体器件的分类
答:
2、 晶体管 ①双极晶体管 ②FET(Fidld Effect Transistor:场效应管)Ⅰ、接合型FET Ⅱ、MOSFET ③IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:
绝缘栅双极晶体管
)3、 晶闸管 ①SCR(Sillicon Controllde Rectifier:硅控整流器)/三端双向可控硅 ②GTO(Gate Turn off Thyristor:
栅极
光闭晶闸管)③LTT(...
igtit焊机与mos管有
什么
关系?
答:
1、定义 IGBT焊机:逆变过程需要大功率电子开关器件,采用
绝缘栅双极晶体管
IGBT
作为
开关器件的的逆变焊机成为IGBT逆变焊机。MOS
管是
金属、氧化物、半导体场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体、半导体。IGBT焊机:MOS管:2、工作过程 MOS管:管是由加在输入端
栅极
的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控...
电力晶体管和
绝缘栅极晶体管
和电力场效应管有
什么
区别?各自应用在哪 ...
答:
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor:
绝缘栅双极晶体管
)IGBT的开关作用是通过加正向
栅极
电压形成沟道,给PNP晶体管提供基极电流,使IGBT导通.反之,加反向栅极电压消除沟道,流过反向基极电流,使IGBT关断.IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同,只需控制输入极N沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性.当MOSFET的沟道形成后,从...
k40t1202和fgl40n120这两个igbt都是参数一样吗?为
什么
体积大小不一...
答:
参数不一样,因为电压支持不同,所以粗细规格也不同。40N150是40A/1500V。而40N120是40A/1200V。
开关的整流和脉宽调制靠
什么
器件
答:
回答:功率开关器件 PWM整流器的基础是电力电子器件,其与普通整流器和相控整流器的不同之处是采用了全控型器件。目前在PWM整流器中得到广泛应用的电力电子器件主要有如下几种。 1.1 门极可关断晶闸管(GTO) GTO是最早的大功率可关断器件,是目前阻断电压最高和通态电流最大的全控型器件,已达6kV/6kA的...
FGA25N120的放大原理是
什么
?
答:
但无论表针摆动方向如何,只要表针摆动幅度较大,就说明管有较大的放大能力。第二,此方法对MOS场效应管也适用。但要注意,MOS场效应管的输人电阻高,
栅极
G允许的感应电压不应过高,所以不要直接用手去捏栅极,必须用于握螺丝刀的
绝缘
柄,用金属杆去碰触栅极,以防止人体感应电荷直接加到栅极,引起栅极...
IGBT焊机和MOS管的区别
答:
IGBT焊机和MOS管有3点不同:一、两者的含义不同:1、IGBT焊机的含义:逆变过程需要大功率电子开关器件,采用
绝缘栅双极晶体管
IGBT
作为
开关器件的的逆变焊机成为IGBT逆变焊机。2、MOS管的含义:MOS管,是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor ...
开关的整流和脉宽调制靠
什么
器件
答:
1.4
绝缘栅双极晶体管
(IGBT)IGBT是后起之秀,集MOSFET和GTR的优点于一身,既具有MOSFET的输入阻抗高、开关速度快的优点,又具有GTR耐压高、流过电流大的优点,是目前中等功率电力电子装置中的主流器件。目前的制造水平已经达到3.3kV/1.2kA。
栅极
为电压驱动,所需驱动功率小,开关损耗小、工作频率高...
IGBT模块都有
什么
功能
答:
驱动功率小而饱和压降低
MOS管和三极管有
什么
区别?
答:
2、三极管:半导体三极管,也称
双极
型
晶体管
、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。二、作用不同 1、MOS管:管分为PMOS管和NMOS管,属于
绝缘栅
场效应管。2、三极管:是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。三、特点不同 1、MOS管:MOS管的source(源极)和drain(耗尽层)是...
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