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绝缘栅双极晶体管是以什么作为栅极
绝缘栅双极
型
晶体管
的相关实例
答:
的取值影响开关时间,RG值大,开关时间增加,单个脉冲的开关损耗增加。但RG值减小时,di/dt增大,可能会导劲GBT误导通。R殖一般取几十欧至几百欧。主要参数Ic为集电极额定最大直流电流;U(BocES为门极短路时的集一射极击穿电压;尸C为额定l日ey日onshonshuong]!x一ng}ing丈}guon
绝缘栅双极
型
晶体管
...
llc高压输出为
什么
计算谐振电容那么小
答:
IGBT 管有三个电极:
栅极
(或称控制极)G、集电极C 和发射极E。 提醒各位同行:IGBT 25N与HT20R 不一样 否则爆IGBT 下面图是 阻尼二极管: 阻止交流圈。 IGBT 有带阻尼二极管的,请把电磁炉上单个的阻尼管拆下不用。 简解IGBT :
绝缘栅双极晶体管
(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是一种集T的大...
现代电力电子元器件识别检测及应用内容简介
答:
现代电力电子元器件识别检测及应用一书涵盖了广泛的内容,旨在帮助读者深入了解和掌握这些关键元件。首先,它详细介绍了快恢复二极管,这种元件在电力系统中扮演着重要角色,特别是在快速开关操作中。其次,书中深入剖析了功率场效应管,它们在功率转换和控制中起着决定性作用。接着,
绝缘栅双极
型
晶体管
(IGBT...
IGBT控制原理,主要运用于
什么
地方?
答:
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),
绝缘栅双极
型
晶体管
,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降...
变频器维修的技术系列
答:
2、
绝缘栅双极晶体管
(IGBT) IGBT是MOSFET和GTR相结合的产物,
是栅极
为绝缘栅结构(MOS结构)的晶体管,它的三个极分别是集电极C、发射极E和栅极G。工作特点是,控制部分与场效应晶体管相同,控制信号为电压信号Uge,输入阻抗很高,栅极电流I≈0,故驱动功率很小。而起主电路部分则与GTR相同,工作电流为集电极电流I。
IGBT主要技术参数!
答:
绝缘栅双极晶体管
缩写IGBT IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性,...
比较场效应管与
双极
型
晶体管
的特点
答:
六.场效应管的漏、源极可以互换、耗尽型
绝缘栅
管的
栅极
电压可正,可负,灵活性比
双极
型
晶体管
强.不过在音响功率放大器中,场效应管多以N沟/P沟对管出现,双极型晶体管也以PNP/NPN对管出现.但场效应管在业余应用中较为脆弱,成本也较高.七.场效应管和双极型晶体管都可以用于放大或作可控开关, 但场...
IGBT管的参数
答:
IGBT(
绝缘栅双极
型
晶体管
)的参数非常重要,它们决定了IGBT在不同应用中的适用性和性能。以下是一些关键参数及其含义:集电极-发射极电压 (V_CE):最大集电极-发射极电压(V_CES):IGBT能承受的最大电压,不超过这个电压会导致器件的损坏。
栅极
-发射极电压 (V_GE):最大栅极-发射极电压(V_GES):...
求三极管的详细资料
答:
※
绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管
(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)综合了电力晶体管(Giant Transistor—GTR)和电力场效应晶体管(Power MOSFET)的优点,具有良好的特性,应用领域很广泛;IGBT也是三端器件:
栅极
,集电极和发射极。【主要参数】 晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大...
igbt基本原理图
答:
IGBT是双极型
晶体管
(BJT)和MOSFET的复合器件,IGBT将BJT的电导调制效应引入到VDMOS的高祖漂流区,大大改善了器件的导通特性,同时它还具有MOSFET的
栅极
高输入阻抗的特点。IGBT所能应用的范围基本上替代了传统的功率晶体管。
绝缘栅双极
型晶体管本质上是一个场效应晶体管,在结构上与功率MOSFET相似,只是在...
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