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绝缘栅双极晶体管是以什么作为栅极
igbt工作原理
答:
IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT技术高出很多。较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,同一个标准
双极
器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图。
一般IGBT反向击穿电压为多少伏?
答:
一般都在600V以上,具体视规格,电压超过、电流能控制住一般不会马上“击穿”,这是
晶体管
的电击穿(是导通,可以恢复),但是,由于电流升高导致所谓“热击穿”就是永久性击穿了。
MOSFET与IGBT每部构造的区别?
答:
IGBT结构图左边所示为一个N沟道增强型
绝缘栅双极晶体管
结构, N+区称为源区,附于其上的电极称为源极。P+区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为
栅极
。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区 (包括P+和P-区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区(Subchannel region)。而在漏区另一侧的...
什么
是三极管
答:
※
绝缘栅双极晶体管
绝缘栅双极晶体管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)综合了电力晶体管(Giant Transistor—GTR)和电力场效应晶体管(Power MOSFET)的优点,具有良好的特性,应用领域很广泛;IGBT也是三端器件:
栅极
,集电极和发射极。晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极...
llc高压输出为
什么
计算谐振电容那么小
答:
IGBT 管有三个电极:
栅极
(或称控制极)G、集电极C 和发射极E。 提醒各位同行:IGBT 25N与HT20R 不一样 否则爆IGBT 下面图是 阻尼二极管: 阻止交流圈。 IGBT 有带阻尼二极管的,请把电磁炉上单个的阻尼管拆下不用。 简解IGBT :
绝缘栅双极晶体管
(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是一种集T的大...
现代电力电子元器件识别检测及应用内容简介
答:
现代电力电子元器件识别检测及应用一书涵盖了广泛的内容,旨在帮助读者深入了解和掌握这些关键元件。首先,它详细介绍了快恢复二极管,这种元件在电力系统中扮演着重要角色,特别是在快速开关操作中。其次,书中深入剖析了功率场效应管,它们在功率转换和控制中起着决定性作用。接着,
绝缘栅双极
型
晶体管
(IGBT...
IGBT是
什么管
?
答:
1、定义 IGBT焊机:逆变过程需要大功率电子开关器件,采用
绝缘栅双极晶体管
IGBT
作为
开关器件的的逆变焊机成为IGBT逆变焊机。MOS
管是
金属、氧化物、半导体场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体、半导体。IGBT焊机:MOS管:2、工作过程 MOS管:管是由加在输入端
栅极
的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控...
绝缘栅双极
型
晶体管
的相关实例
答:
的取值影响开关时间,RG值大,开关时间增加,单个脉冲的开关损耗增加。但RG值减小时,di/dt增大,可能会导劲GBT误导通。R殖一般取几十欧至几百欧。主要参数Ic为集电极额定最大直流电流;U(BocES为门极短路时的集一射极击穿电压;尸C为额定l日ey日onshonshuong]!x一ng}ing丈}guon
绝缘栅双极
型
晶体管
...
IGBT控制原理,主要运用于
什么
地方?
答:
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),
绝缘栅双极
型
晶体管
,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降...
比较场效应管与
双极
型
晶体管
的特点
答:
六.场效应管的漏、源极可以互换、耗尽型
绝缘栅
管的
栅极
电压可正,可负,灵活性比
双极
型
晶体管
强.不过在音响功率放大器中,场效应管多以N沟/P沟对管出现,双极型晶体管也以PNP/NPN对管出现.但场效应管在业余应用中较为脆弱,成本也较高.七.场效应管和双极型晶体管都可以用于放大或作可控开关, 但场...
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