功率器件主要包括以下几种：
1. 双极型晶体管（BJT）
2. 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
3. 功率场效应晶体管（Power MOSFET）
4. 晶体闸流管（Thyristor）等。
双极型晶体管（BJT）是最常用的一种功率器件，它具有高电流处理能力，适用于放大和高功率应用。它由三层半导体材料构成，通过控制基极电流来控制集电极电流和发射极之间的电流通路。这种器件具有高效率和良好的热稳定性。
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是一种复合型功率器件，结合了双极型晶体管和功率场效应晶体管的特性。它具有高输入阻抗、低导通损耗和快速开关能力，广泛应用于电机驱动、电力转换和逆变器等领域。
功率场效应晶体管（Power MOSFET）是一种电压控制型器件，具有高输入阻抗、低导通电阻和快速开关特性。它适用于高电压和高电流的应用场景，如汽车和工业电机控制、电源管理和电池管理。
晶体闸流管（Thyristor）是一种具有四个层的半导体器件，广泛应用于电力系统和工业控制中。它具有高电流容量和可靠的热稳定性，通常用于开关电源和电机控制等应用。此外，还有其他类型的功率器件，如智能功率模块（IPM）、硅碳化物（SiC）和氮化镓（GaN）等新型材料制作的功率器件等。这些新型器件具有更高的效率和更快的开关速度，适用于现代电力电子转换系统。