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为什么场效应管的G极也称为绝缘栅
绝缘栅场效应管
答:
所谓绝缘栅是指这种晶体管的栅极与受控沟道之间隔着一层二氧化硅,具有极高的输入阻抗近乎绝缘
,相比结型场效应管而言输入阻抗更高,更能体现电压控制器件的优势特性,从应用来看结型场效应管多应用于小信号、弱电流场合比如前置放大器、恒流源等等,绝缘栅场效应管则多用于大功率、强电流驱动场合,目前广泛...
如何判断分结型
场效应管
,
绝缘栅
型场效应管
答:
1.结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名,绝缘栅型场效应管(IGFET)则因栅极与其它电极完全绝缘而得名
。由于绝缘栅型的栅极为金属铝,所以又称为MOS管。2.绝缘栅型又可分为增强型和耗尽型,其中耗尽型是添加了离子的。如何判断分结型场效应管、绝缘栅型场效应管:结型场管脚识别场效应管的栅...
三极管的内阻大,还是
场效应管的
内阻大?
答:
三极管的内阻小,而场效应内阻大 三极管的导通内阻大,
场效应管的
导通内阻几乎可以忽略不计.
请问这个电路图中的圆圈和竖线是
什么
意思?
答:
1)以第一个图符来说,g 表示为栅极,后面用两根竖线表示
为绝缘栅
;你这个图符为场效应管??(因为没画出衬底引线)2)是场效应管就有分N沟道场效应管和P沟道场效应管,N沟道
场效应管的
开启电压(即导通电压)为正的,Ugson > 0,所以说
g极
电压=高电平时导通;而P沟道场效应管的开启电压(...
绝缘栅
型
场效应管
原理
答:
由于与P型衬底的导电类型相反,故称为反型层。在反型层下才是负离子组成的耗尽层。这一N型电子层,把原来被PN结高阻层隔开的源区和漏区连接起来,形成导电沟道。主要参数:Idss—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型
绝缘栅场效应管
中,栅极电压UGS=0时的漏源电流。Up—夹断电压。是指结型或耗尽型...
场效应管的
问题
答:
有四种可能:1、增强型MOS管;2、耗尽型MOS管;3、耗尽型MOS管;4、结型管。见图:。
场效应管
(MOSFET)检测方法与经验
答:
因为对结型
场效应管
而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结...
百度知道
答:
1、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),
绝缘栅
双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型
场效应管
)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通...
场效应管
有几种类型
答:
绝缘栅场效应管
(Insulated-Gate FET,IGFET),
也称为
金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),是另一种常见的场效应管类型。它的栅极通过一层薄氧化物与通道隔离,这一结构使得其输入阻抗极高。IGFET具有热稳定性好、开关速度快和效率高等特点,广泛应用于高性能的电子设备中。三、V型槽场效应管 除了上述...
MOS
管的
工作原理
答:
氧化物SIO2)上投射电场来影响流经晶体
管的
电流。实际上没有电流流过这个
绝缘
体(只是电容的作用),所以FET的栅极电流很小(电容的电流损耗)。最常见的FET在
栅
电极下使用一薄层二氧化硅作为绝缘体。这种晶体管被称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管,或金属氧化物半导体
场效应
晶体管(MOSFET)。
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