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绝缘栅型场效应管是用控制漏极电流
绝缘栅场效应管
的工作原理
答:
绝缘栅场效应管的导电机理是,
利用UGS 控制感应电荷的多少来改变导电沟道的宽窄,从而控制漏极电流ID
。若UGS=0时,源、漏之间不存在导电沟道的为增强型MOS管,UGS=0 时,漏、源之间存在导电沟道的为耗尽型MOS管。图2中衬底为P型半导体,在它的上面是一层SiO2薄膜、在SiO2薄膜上盖一层金属铝,如果在...
全控型器件的电力
场效应
晶体管(Power MOSFET)
答:
通常主要指
绝缘栅型
中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),简称电力MOSFET(Power MOSFET)结型电力
场效应
晶体管一般称作静电感应晶体管(Static Induction Transistor——SIT)。 是一种单极型的电压控制全控型器件。特点——用栅极电压来
控制漏极电流
输入阻抗高驱动电路简单,需要的驱动功率小。开关速度快,工作频率高。
mos
管是
什么原理,起什么作用的
答:
它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,
以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的
。在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂质的N区接通,形成了导电沟道,即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。
场效应管
工作原理是什么?
答:
场效应管
工作原理是场效应晶体管。一般的晶体
管是
由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电。它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压
控制型
半导体器件,具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易...
IGBT管的工作原理是什么,结构是什么
答:
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型功率管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(
绝缘栅型场效应管
)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动
电流
较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降...
场效应管
按结构可分为两大类
答:
1、
场效应管是
电压控制器件,它通过VGS(
栅
源电压)来控制ID(
漏极电流
)。2、场效应管的控制输入端
电流极
小,因此它的输入电阻(107~1012Ω)很大。3、它
是利用
多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好。场效应管工作原理:“漏极源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压...
场效应管是
怎样
利用
电场来
控制
的?
答:
场效应管
工作原理用一句话说,就是“
漏极
-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所...
场效应管
的特性是什么
答:
因此,在射频放大器和频率控制器中经常采用
场效应管
。电压控制:场效应管可以
通过栅
极电压来
控制漏极
和源极之间的电流流动,因此具有电压
控制电流
的特性。双向导通特性:一些场效应管具有双向导通特性,即可以通过改变栅极电压来控制电流从源极到漏极的方向。
IGBT管与
场效应管
的区别及用途?
答:
(1)
场效应管是
电压控制器件,它通过VGS(
栅
源电压)来控制ID(
漏极电流
)。(2)场效应管的控制输入端
电流极
小,因此它的输入电阻(107~1012Ω)很大。(3)它
是利用
多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好。(4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数。(5)场...
晶体管定义和分类?
答:
结型场效应管的区别在于它们的导电机构和
电流控制
原理根本不同,结型
管是利用
耗尽 区的宽度变化来改变导电沟道的宽窄以便
控制漏极电流
,
绝缘栅型场效应管
则是用半导 体表面的电场效应、电感应电荷的多少去改变导电沟道来
控制电流
。它们性质的差异使 结型场效应管往往运用在功放输入级(前级),绝缘栅型场...
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