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为什么场效应管的G极也称为绝缘栅
双极型晶体管、结型
场效应管
和
绝缘栅
型场效应管图形符号的区别(?
答:
起源于1948年发明的点接触晶体三极管,50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构:PNP型和NPN型。在这3层半导体中,中间一层称基区,外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时,在发射区和集电区之间就会形成较大的电流,这就是晶体
管的
放大
效应
。
汽车集电极的作用是
什么
答:
如图1所示为一个N沟道增强型
绝缘栅
双极晶体管结构,N+区称为源区,附于其上的电极称为源极(即发射极E)。N基极称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极(即门
极G
)。沟道在紧靠栅区边界形成。在C、E两极之间的P型区(包括P+和P-区,沟道在该区域形成),称为亚沟道区(...
什么
叫mos
场效应管
答:
按沟道材料:结型和
绝缘栅
型各分N沟道和P沟道两种.按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体
管又
分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类.见下图 :3.
场效应管的
主要参数...
三极管与
场效应管
怎摸分辨?
答:
当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型
场效应管
而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。当出现两次测得的电阻值...
绝缘栅
型
场效应管的
问题
答:
因为如果
栅极
和源极之间不加电压的话,漏极和源极之间是两只背向的PN结,不存在导电沟道,因此即使漏极和源极之间加电压,也不会产生漏极电流,则MOS管无法正常工作。补充:衬底对应的是P型硅,源极对应的是N型硅,怎么可能实现一样的工作状态呢。同样的道理,栅-源之间必须有反向电压呈高阻抗,才能...
IGBT工作原理
答:
igbt工作原理和作用是:IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了...
场效应管
怎么分上管下管?
答:
场效应晶体管简称
场效应管
。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,
也称为
单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次...
igbt的e级和
g极
并联电阻的大小
答:
igbt的e级和
g极
并联电阻的大小应该是无穷大,因为IGBT
管的
输入级是
场效应管
。IGBT是指
绝缘栅
双极型晶体管,是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的优点。非常适合应用于直流电压为600V及以上的...
厂
效应管
沟道有参数,这参数与
什么
物理量有关?
答:
肯定是栅极
G
.也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值.当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极.若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是N沟道
场效应管
,且黑表笔...
绝缘栅
双极型晶体
管的
相关实例
答:
IGBT的等效电路、图形符号如图(a)所示,图(b)、(c)分别为其转移特性和输出特性。IGBT的输人驱动级为N沟道增强型
绝缘栅场效应
晶体管MOSFET,输出级为电力晶体管(GTR),形成达林顿晶体管电路结构。因此IGBT兼有MOSFET高输人阻抗、快开关速度和GTR的高电流密度、低通态压降的优点,但IGBT的门极偏置(又称...
棣栭〉
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