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为什么场效应管的G极也称为绝缘栅
如何判断分结型
场效应管
,
绝缘栅
型场效应管
答:
2.
绝缘栅
型又可分为增强型和耗尽型,其中耗尽型是添加了离子的。如何判断分结型场效应管、绝缘栅型场效应管:结型场管脚识别
场效应管的
栅极相当于晶体管的基极,源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档,用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的...
绝缘栅
型
场效应管
原理
答:
由于与P型衬底的导电类型相反,故称为反型层。在反型层下才是负离子组成的耗尽层。这一N型电子层,把原来被PN结高阻层隔开的源区和漏区连接起来,形成导电沟道。主要参数:Idss—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型
绝缘栅场效应管
中,栅极电压UGS=0时的漏源电流。Up—夹断电压。是指结型或耗尽型...
绝缘栅场效应
晶体管是什么DD阿?
为什么
不叫场效应晶体管呢?初学者,不要...
答:
绝缘栅
型场效应管的衬底(B)与源析(S)连在一起,它的三个极分别为栅极(G)、漏极(D)、和源极(S)。晶体管分NPN和PNP管,它的三个极分别为基极(b)、集电极(c)、发射极(e)。
场效应管的G
、D、S极与晶体管的b、c、e极有相似的功能。绝缘栅型效应管和结型场效应管的区别在于...
绝缘栅场效应管的
工作原理
答:
绝缘栅场效应管的
导电机理是,利用UGS 控制感应电荷的多少来改变导电沟道的宽窄,从而控制漏极电流ID。若UGS=0时,源、漏之间不存在导电沟道的为增强型MOS管,UGS=0 时,漏、源之间存在导电沟道的为耗尽型MOS管。图2中衬底为P型半导体,在它的上面是一层SiO2薄膜、在SiO2薄膜上盖一层金属铝,如果在...
场效应管
视频时间 00:52
场效应管
是
什么
东西?
答:
绝缘栅
型场效应管又分为增强型和耗尽型两种,我们称在正常情况下导通的为耗尽型场效应管,在正常情况下断开的称增强型效应管.增强型场效应管特点:当Vgs=0时Id(漏极电流)=0,只有当Vgs增加到某一个值时才开始导通,有漏极电流产生.并称开始出现漏极电流时的栅源电压Vgs为开启电压.耗尽型
场效应管的
...
场效应管的
使用注意事项
答:
MOS
场效应管
即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),属于
绝缘栅
型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻(最高可达1015Ω)。它也分N沟道管和P沟道管,符号如图1所示。通常是将衬底(基板)与源极S接在一起。根...
厂
效应管的
四道区别是
什么
?
答:
绝缘栅
型场效应管又分为增强型和耗尽型两种,我们称在正常情况下导通的为耗尽型场效应管,在正常情况下断开的称增强型效应管.增强型场效应管特点:当Vgs=0时Id(漏极电流)=0,只有当Vgs增加到某一个值时才开始导通,有漏极电流产生.并称开始出现漏极电流时的栅源电压Vgs为开启电压.耗尽型
场效应管的
...
栅极
的特点
答:
英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor),属于
绝缘栅
型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻(最高可达1015Ω)。它也分N沟道管和P沟道管,符号如右图所示。通常是将衬底(基板)与源极S接在一起。根据导电方式的不同,MOSFET又...
求解MOS
场效应管的
构造原理,和工作原理,越详细越好,谢谢。
答:
结型
场效应管
均为耗尽型,
绝缘栅
型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体
管又
分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。二、场效应三极管的型号命名方法 现行有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同,第三位字母...
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