请教MOS管，大家常说多少安培的MOS，耐压多少伏特的MOS，具体是指MOS管的那些参数啊

Question

MOS管的耐压一般是指源极和漏极之间的雪崩电压，如果在源极和漏极之间加上了大于它的电压，MOS管会立即损坏；最大电流是指最大漏极允许电流，MOS管在工作中不允许超出此电流，否则会严重发热而损坏；导通阻抗是指MOS管处于导通状态时源极和漏极之间的电阻，这个数值越小导通效果越好；开启电压是指增强型场效应管加在栅极和源极之间的控制电压达到使之开始导通的电压值。
一般来说，耐压高的可以替代耐压低的、电流大的可以替代电流小的、导通阻抗低的可以替代导通阻抗高的，如果有频率等方面的特殊要求，还要选择特征频率足够高的型号

Answer 1

1、耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。
2、还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。
你的补充基本正确，但最大电流一处有错，MOS管的电流参数很多时候厂家会给出连续电流，短时间电流和峰值电流，泛指最大电流不是很恰当，所以在应用时要根据应用的实际情况，认真看具体mos管的详尽参数。

Answer 2

Mosfet参数含义说明 Features:
1、Vds： DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的最大电压 Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻 Id： 最大DS电流.会随温度的升高而降低 Vgs: 最大GS电压.一般为：-20V~+20V
2、Idm: 最大脉冲DS电流.会随温度的升高而降低，体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系
3、Pd: 最大耗散功率
4、Tj: 最大工作结温，通常为150度和175度 Tstg: 最大存储温度 Iar: 雪崩电流
5、Ear: 重复雪崩击穿能量
6、Eas: 单次脉冲雪崩击穿能量 BVdss： DS击穿电压
7、Idss: 饱和DS电流，uA级的电流 Igss: GS驱动电流，nA级的电流. gfs: 跨导
8、Qg: G总充电电量 Qgs: GS充电电量 Qgd: GD充电电量
9、Td(on): 导通延迟时间，从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间 Tr: 上升时间，输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间 Td(off): 关断延迟时间，输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间
10、Tf: 下降时间，输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间 ( 参考图 4) 。 Ciss: 输入电容，Ciss=Cgd + Cgs. Coss: 输出电容，Coss=Cds +Cgd. Crss: 反向传输电容，Crss=Cgc.本回答被网友采纳

Answer 3

电压、电流主要看下列三个参数：
Drain-Source Voltage >>VDS-此电压参数
Drain Current >>ID-此电流参数
Pulsed Drain Current>>IDM-此脉冲电流参数

例：P CH MOSFET:30V 1.5A
指的就是VDS=30V,ID=1.5A