d3004mos管参数

如题所述

D3004MOS管的参数如下:

最大漏极电流(Id):3A,最大漏源电压(Vds):30V,最大栅源电压(Vgs):±20V,最大功耗(Pd):25W,导通电阻(Rds(on)):典型值0.27Ω(最大0.45Ω),阈值电压(Vgs(th)):典型值2V(最大4V),栅极电荷(Qg):典型值15nC(最大25nC),输入电容(Ciss):典型值550pF(最大800pF),输出电容(Coss):典型值70pF(最大110pF),反向传输电容(Crss):典型值20pF(最大30pF)。

D3004MOS管是一种N沟道增强型MOSFET,主要用于开关和放大电路。其最大漏极电流为3A,意味着在正常工作条件下,该管子可以承受的最大电流为3安培。最大漏源电压为30V,表示管子两端的最大电压不能超过30伏特,否则可能会损坏管子。

D3004MOS管的导通电阻较小,典型值为0.27Ω,最大值为0.45Ω。较小的导通电阻意味着在管子导通时,电流通过管子时产生的压降较小,从而减少了能量的损耗。此外,该管子的阈值电压典型值为2V,最大值为4V。阈值电压是指使管子开始导通所需的栅源电压值。

D3004MOS管还具有较小的栅极电荷和输入电容,这使得它在高频应用中具有较快的开关速度。同时,该管子还具有较小的反向传输电容,这有助于减少电路中的噪声和干扰。

总之,D3004MOS管具有高电流、低电压、低损耗、快速开关等特点,适用于各种需要高效、快速开关的电路场合。
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