请问为啥三极管集电区面积大,就有利于吸收电子(NPN管)呢?

一直没想明白!发射区浓度高,进入基区的电子就多;基区浓度低,窄,电子传输效率就高;那集电区呢?难道面积大,利于电子堆积于集电区么?(即所谓的收集电子??)前两个结构条件都懂,就这儿不懂!!
有说:因为大碗装饭多啊!-----可是集电区不是空碗,本身就有电子,又没空穴,怎么装电子??----电子又不会堆积于集电区!!!----不明白!!

注意:是“集电结(不是区)面积大”!
三极管处于放大状态时,发射结正偏,发射区的多子(发射区的多子并未减少,进入基区转变为少子;集电结反偏提供了少子漂移的条件,集电结面积大使少子容易通过集电结进入集电区。注意:这些多子并不在集电区停留(若停留,集电极电流哪来呀!),而是流向电源的一极,并由电源搬移到另一极,去补充发射区流失的多子,这就形成了各极的电流(Ib、Ic和Ie)。集电区的多子并未增多(发射区的多子也未减少),即不存在你所说的“装”!追问

为什么集电区的多子没增多?发射区的多子也没减少呢?

追答

上面不是说啦,你看不懂吗:“这些多子并不在集电区停留(若停留,集电极电流哪来呀!),而是流向电源的一极,并由电源搬移到另一极,去补充发射区流失的多子”

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