那就是反相击穿吗，可相对于发射区电源的正极 电位更高啊
追答也算是反相（击穿）吧，这是可控的就不用叫（击穿）而是叫放大吧。
真正的击穿是超过了厂家给出的最高电压，那样管子就是烧了。
彻底糊涂了
追答是啊
我实在是不明白（又因基区很薄，在集电结反偏电压的作用下，电子在基区停留的时间很短，很快就扩散运动到集电结的边缘，进入集电结的结电场区域，被集电极所收集)是什么意思 那不管怎么过去的 请问反偏挡不住电子 PN结是不是单向导电 你好好想想在回单OK、？？？
追答再仔细说一遍吧，如下
晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏且集电结反向偏置
1．发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流
因为发射结加正向电压，发射区杂质浓度高，所以大量自由电子因扩散运动越过发射结到达基区。与此同时，空穴也从基区向发射区扩散，由于基区杂质浓度低，空穴形成的电流非常小，忽略不计。可见，扩散运动形成了发射极电流。
2．扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电流
由于基区很薄，杂质浓度很低，集电结又加反向电压，所以扩散到基区的电子中只有极少部分与空穴复合，其余部分均作为基区的非平衡少子达到集电结。又由于基极电压的作用，电子与空穴的复合运动将源源不断进行，形成基极电流 。
3．集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流
由于集电结加反向电压且其结面积较大，基区的非平衡少子在外电场作用下漂移运动，越过集电结到达集电区，形成漂移电流。可见，在集电极电源的作用下，漂移运动形成集电极电流。
4.在这里对你所困惑的集电结反偏电压阻挡自由电子和PN结单向导电性的问题，解释如下：
PN结的正偏置电压会使得P区N区多子形成扩散运动，而反偏电压会使得少子形成漂移运动。正偏电压会使得PN结内电场减弱，反偏电压会使得PN结内电场增强。PN结单向电流的产生是由于在正偏电压下多子的扩散运动形成的。
在三极管内形成的基区少子（自由电子）是在集电结（PN结）反偏电压下做漂移运动，要记住虽然自由电子是基区的少子，但是它的数量可不少，同理作为集电极的少子空穴，它的数量也绝非少数，集电极的空穴来自于的在反偏电源的不断补充。
所以综上所述，基极电流是自由电子扩散形成的，而集电极电流则是自由电子漂移形成的。
集电结的内电场 始终是存在的吧 那么集电结内电场在基区那边是负极吧 其他部分基区多子是空穴但还是中电性 填补空穴剩余的电子 只能增加集电结的内电场 增强后的内电场飘逸电子相对 增强前多 这中说法对吗
追答1.集电结的内电场始终存在
2.内电场的强弱不是剩余的电子的数量多少决定的，而是PN结形成后就存在的电压。
3.即便没有集电极反偏电压，自由电子一样可以被集电极收集，
但是没有反偏电压就不会出现 集电极电流了
收集来自基区的电子吗 这中特性是掺杂的效果还是
昨天研究了一晚上
看到你这么说 又糊涂了
是收集来自基区的电子，基区的自由电子是发射极参杂浓度造成的，也来自于发射极，所以也可以理解为参杂的效果。
如果你还是不太明白，给你个网站你看一下吧，这是教育部下设的网上教室
http://4a.hep.edu.cn/NCourse/dg2/jxsk/
你看一下：第一章 半导体器件基础
1.4 双极型三极管 的内容，还有动画演示效果
和我看的书一样
追答那你现在懂了吗？
这个东西并不影响后面关于模电知识的学习的，这个只是从微观的角度来解释半导体元件的内部工作原理，不知道也没有关系的，在以后的学习中知道元件外部特性就可以了，比如三极管发射极电流是集电极电流和基极电流之和，二极管具有单向导电性等外性就可以了，如果你是学习模拟电子技术，那么我推荐你一本书讲得很好
《电子设计从零开始》第二版 杨欣主编 清华大学出版
这本书是为初学者编写的，从零基础学习模拟电子技术并教会你如何设计电路，是模拟电子技术教材的辅助书籍。