常见的功率半导体器件及主要特点是什么？常见的功率半导体器件的主要特点是大功率，常见的功率半导体器件有二极管，晶闸管，GTO，VDMOS，BJT，IGBT，IGCT。
从这些功率半导体器件的开关特性来说，分为三类。第一类是二极管，加上正向电压就接通，加上反向电压就断开，称为不控型器件，第二类是晶闸管，加上正向电压时，能控制接通，不能控制断开，称为半控型器件。第三类是后面5种器件，加上正向电压时，能控制接通，也能控制断开，称为全控型器件。
功率半导体器件，简称功率器件，又称电力电子器件，属于半导体产品中的分立器件。功率集成电路也就是如下图的【功率IC】，典型产品有【电源管理芯片】和【各类驱动芯片】等，属于半导体产品中的集成电路。
功率半导体器件由功率半导体材料制作而成。功率半导体材料具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高电子迁移率等特性，可以在高温、高压、高频、大功率等极端条件下工作，实现电能的有效转换和控制。
功率半导体器件可分为功率半导体分立器件（Power Discrete，包括功率模块）和功率半导体集成电路（Power IC）两大类。因此，功率半导体分立器件实际上是功率半导体器件的一个子类。
功率半导体分立器件是指被规定完成某种基本功能，并且本身在功能上不能再细分的半导体器件，根据其结构和功能的不同，主要可分为功率MOSFET、IGBT、功率二极管、功率双极晶体管和晶闸管（可控硅）5大类型。
以下是几种常见的功率半导体器件以及它们的主要特点：
功率二极管：
特点：具有单向导电性，只能在一个方向上导电而在相反方向上阻断电流。它们通常用于整流应用，将交流(AC)转换为直流(DC)。
功率晶体管：
特点：可以用作放大器或开关。具有三个端子，包括发射极、基极和集电极。功率晶体管能够处理相对较高的电流和电压。
金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）：
特点：有非常高的输入阻抗和较快的开关速率。它们是现代电源电子中最常用的功率半导体器件之一，广泛应用在开关电源、逆变器等电路中。
绝缘栅双极晶体管（IGBT）：
特点：集合了MOSFET的高输入阻抗及双极晶体管的高载流能力。适用于中等电压和电流的应用场合，如变频器、电动汽车和微波炉等。
可控硅（Thyristor或SCR）：
特点：相比于其他半导体器件，SCR可以处理非常高的电压和电流。它们被广泛用于交流电源控制和高功率控制器件，例如整流器和调功器。
门极可关断晶体管（GTO）：
特点：是一种可以通过控制门极信号来开启或关闭的可控硅。GTO具备较快的开关速度和高电流承受能力，使用于铁路牵引等高功率驱动领域。
静态感应晶体管（SIT）：
特点：是一种特殊类型的功率MOSFET，具有非常低的导通电阻和良好的温度稳定性，广泛用于高频大功率场合。