以下是几种常见的功率半导体器件以及它们的主要特点：
功率二极管：
特点：具有单向导电性，只能在一个方向上导电而在相反方向上阻断电流。它们通常用于整流应用，将交流(AC)转换为直流(DC)。
功率晶体管：
特点：可以用作放大器或开关。具有三个端子，包括发射极、基极和集电极。功率晶体管能够处理相对较高的电流和电压。
金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）：
特点：有非常高的输入阻抗和较快的开关速率。它们是现代电源电子中最常用的功率半导体器件之一，广泛应用在开关电源、逆变器等电路中。
绝缘栅双极晶体管（IGBT）：
特点：集合了MOSFET的高输入阻抗及双极晶体管的高载流能力。适用于中等电压和电流的应用场合，如变频器、电动汽车和微波炉等。
可控硅（Thyristor或SCR）：
特点：相比于其他半导体器件，SCR可以处理非常高的电压和电流。它们被广泛用于交流电源控制和高功率控制器件，例如整流器和调功器。
门极可关断晶体管（GTO）：
特点：是一种可以通过控制门极信号来开启或关闭的可控硅。GTO具备较快的开关速度和高电流承受能力，使用于铁路牵引等高功率驱动领域。
静态感应晶体管（SIT）：
特点：是一种特殊类型的功率MOSFET，具有非常低的导通电阻和良好的温度稳定性，广泛用于高频大功率场合。