什么是IGBT单管

Question

如题所述

Answer 1

IGBT单管究竟是什么呢？
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
　　图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。
　　IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。

Answer 2

IGBT单管是一种独立的IGBT器件，它通常指的是一只单独的绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor）。这个器件是一种半导体开关，结合了金属氧化物场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOSFET）和双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor，简称BJT）的特性。
IGBT单管用于控制电流，通过调整其栅极电压，可以控制器件的导通和截止，从而控制电路中的电流流动。IGBT单管通常用于高功率应用，如电力电子、电机驱动、电焊机、电磁炉和变频空调等。它们的主要优势在于具有较高的电压和电流承受能力，适用于大电流和高电压的电路。
IGBT单管是一种重要的功率半导体器件，用于能源转换和电力控制领域，提供了高效、可控的电流开关解决方案。这些器件的应用有助于提高能源利用率，减少能源浪费，同时也推动了电力电子技术的发展。

Answer 3

是指单个IGBT元件，通常变频器用的IGBT都是双管的。