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mos管是电压驱动还是电流驱动
mos管驱动电压
越高,
电流
越大吗
答:
mos
相当于一个开关, 达到一个
电压
就全部导通,然后再高也没意义了。
下面这个继电器
驱动
电路是
MOS管
放大
电流还是
三极管?
答:
三极管导通,拉高电容负极
电压
,则同时拉高电容正极电压。若估计三极管饱和导通,压降0.7v,则电容正极为15v左右。于是继电器得电,电压大小为12v到16v,主要取决于三极管饱和程度。这个有点类似于自举升压。我估计你这个继电器动作电压不是8v,因而这个
驱动
电路并不是放大
电流
而是放大电压的。
怎样理解这个
MOS管驱动
电路?
答:
这个电路有很大的问题。首先负载应该挂在MOS的D极上,而不应该挂在S极上,也就是说:要将负载与
MOS管
上下换个位置。然后这个电路在MOS管关掉时,gs之间的电路是48V,超过了其最大耐压为20V。三极管的基极
电流
一般只有1mA就可以让其饱和导致了。具体的,你可以看一下这个三极管的规格书。
单片机
驱动mos管和
电源芯片驱动mos管哪种效果好
答:
单片机
驱动MOS管和
电源芯片驱动MOS管各有优势,根据具体应用需要而定。单片机
驱动MOS管的
优点是灵活性高。通过编程可以实现精确的控制和调节,适用于需要动态控制MOS管的应用。例如,可以根据实时监测到的传感器数据,动态调整MOS管的开启和关闭时间,实现高级功能和算法。电源芯片驱动MOS管的优点是简单和方便。
求解释一些
MOS管驱动电压
答:
过
驱动电压
Vod=Vgs-Vth。可以理解为:超过驱动门限(Vth)的剩余电压大小。1)只有在你的过驱动电压“大于零”的情况下,沟道才会形成,
MOS管
才会工作。也就是说,能够使用过驱动电压来判断晶体管是否导通。2)沟道电荷多少直接与过驱动电压二次方成正比。也就是说,能够使用过驱动电压来计算饱和区的
电
...
MOS管驱动电压
,
是
处于饱和区时MOS的VGS-VTH吗?驱动电压有什么意义?
答:
过
驱动电压
Vod=Vgs-Vth。可以理解为:超过驱动门限(Vth)的剩余电压大小。1)只有在你的过驱动电压“大于零”的情况下,沟道才会形成,
MOS管
才会工作。也就是说,能够使用过驱动电压来判断晶体管是否导通。2)沟道电荷多少直接与过驱动电压二次方成正比。也就是说,能够使用过驱动电压来计算饱和区的
电
...
TTL/CMOS全称?能否互连,和使用CMOS注意事项
答:
逻辑器件的接口电路主要应注意电平匹配和输出能力两个问题,并与器件的电源电压结合起来考虑。下面分两种情况来说明: (A)TTL到CMOS的连接。用TTL电路去驱动CMOS电路时,由于CMOS电路
是电压驱动
器件,所需电流小,因此
电流驱动
能力不会有问题,主要是电压驱动能力问题,TT L电路输出高电平的最小值为2.4V,而CMOS电路的输入...
nMOS晶体管导通时,为什么
电流是
从源极流到漏极,而不是漏极流到源极?
答:
nMOS晶体管导通是通过沟道里面的电子产生电流的,一般NMOS的源极接衬底,共同接到地,漏极到源极加上正
电压
,电子从源极向漏极流动,我们取电流的方向和电子流动的方向相反,所以
电流是
漏极流到源极。如果NMOS的源极不接衬底,不接到地,那么只要是G-S正偏就可以,Vgs大于门槛电压,
MOS
就可以导通。
mos管的
最大持续
电流是
如何确定的?
答:
MOS管
最大持续
电流
=MOS耐
电压
/MOS内阻值。有许多参数会影响开关的性能,但最重要的是栅极/漏极,栅极/源极和漏极/源极电容。这些电容器在设备中产生开关损耗,因为每次开关时都会对其充电。因此,降低了MOS晶体管的开关速度,并且还降低了器件效率。为了计算开关过程中器件的总损耗,需要计算导通期间的...
mos管驱动
电路
答:
看了你们的对话,我发现楼主还没明白,小白没有关系,没开数电模电更没关系,现在的你能对照着图纸连接实物,说明你很有学习电路的潜力!! 下面我给你详细点的解释,希望对你有所帮助.J3的三个端子:1.PWM信号,控制
MOS管的
开关,也可以接普通高电平,其实PWM信号就是一组不断高低变化的电平信号,这样MOS就...
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