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mos管是电压驱动还是电流驱动
为什么
MOS管
要用三极管
驱动
?
答:
从
mos管的
电路符号可以知道栅极G和基底之间存在一个较大的寄生电容,这个电容也正是栅极能控制巨大
电流
通断的关键。学过模电的都知道,电容从零电压充电到额定
电压是
需要时间的,电容容值越大所需的充电时间就越长。在开关电路(比如电机
驱动
电路)中我们总是希望能达到精准控制的效果,所以事实上一般这样...
MOS管
在开关电路的作用
答:
MOS管
在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,源极上加有足够的正
电压
(栅极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源...
mos管的电流
是什么意思
答:
MOS管的电流
可以通过调节其控制
电压
或增加其负载电阻等手段来实现。MOS管的电流大小会受到其内部结构以及工作环境等因素的影响,因此需要在设计和制造过程中精密地把握其相关参数。在电子电路和通信系统中,
MOS管电流
的控制和调节是必不可少的技术手段之一,也是实现系统优化和快速响应的关键因素之一。
MOS管的
引脚,G、S、D分别代表什么?
答:
G:gate 栅极;S:source 源极;D:drain 漏极。N沟道的电源一般接在D,输出S,P沟道的电源一般接在S,输出D。增强耗尽接法基本一样。无论N型或者P型
MOS管
,其工作原理本质是一样的。
芯片是不是都是什么门电路就
是MOS管
做的吗
答:
触发器、锁存器更高层的功能组合就形成加法器、乘法器、存储器等。再高层的组合就形成了复杂的芯片。想学习具体知识,讲器件基础的就是半导体器件,门电路就是看数字电路基础,再往上就是学习数字集成电路设计。上面提到的
MOS管是
作为信息传递的载体。MOS管还有另一个应用叫功率管,传输大
电流
,一般是...
MOS管的
开启
电压是
什么,是指G极的电压吗。。。如果是哪需要多少V
答:
是的,G极的
电压
需要2-4V之间。
MOS管的
source和drain是可以对调的,都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。在对称的MOS管中,对source和drain的标注有一点任意性,载流子流出source,流入drain。因此Source...
PMOS,NMOS,CMOS,BIOS有何区别
答:
通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越高,损失也越大。 导通瞬间
电压和电流
的乘积很大,造成的损失也就很大。缩短开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。3.
MOS管驱动
跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流...
mos管的电流
是什么意思
答:
MOS管的电流
可以通过调节其控制
电压
或增加其负载电阻等手段来实现。MOS管的电流大小会受到其内部结构以及工作环境等因素的影响,因此需要在设计和制造过程中精密地把握其相关参数。在电子电路和通信系统中,
MOS管电流
的控制和调节是必不可少的技术手段之一,也是实现系统优化和快速响应的关键因素之一。
MOS管
如何使用?
答:
和上一问一样,只有栅极和源极接正向电压才能导通,而且不能超过20V。接负
电压和
接0电压一样,都会截止。对。选用开启电压低一些的,Vdss>5V,Idss>100mA即可,可以用AO3400。由于
MOS
导通电阻很小,可以忽略其压降,发光管压降按2V计算,发光
管电流
取10mA即可,所以R=(VCC-2V)/10mA,如果VCC是...
场效应
和MOS管
有什么区别呢?
答:
一、主体不同 1、场效应:V型槽MOS场效应管。是继
MOSFET
之后新发展起来的高效、功率开关器件。2、
MOS管
:金属-氧化物-半导体型场效应管属于绝缘栅型。二、特性不同 1、场效应:不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高(≥108W)、
驱动电流
小(左右0.1μA左右),还具有耐压高(最高可耐压1200V)、工作...
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