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mos管是电压驱动还是电流驱动
为什么电机,电桥
驱动
一般选择
mos管
,而不用三极管。
答:
1、
mos管驱动
要用图腾柱,是因为
MOS管的
栅极输入电阻极大,使得驱动电路必须以非常大的
电流
去给栅极电容充电和放电。当脉冲频率非常高时,这个电容所造成的影响会非常突出,由此所产生的栅极电流峰值甚至可以超过10A,从而产生电流,因此要选驱动能力强的图腾柱电路来提供栅极信号。如果栅极信号是脉冲,一个...
单片数字电路工艺是双极
还是mos
怎么确定
答:
单片数字电路工艺是双极,按所用器件制作工艺的不同:数字电路可分为双极型(TTL型,即三极管,靠
电流
进行
驱动
)和单极型(MOS型,即绝缘栅,靠
电压
进行驱动)两类。
MOS管的
功耗相对于三极管的功耗较低,因此很挫集成电路都采用MOS工艺,大功率和简单电路常用TTL型。按照电路的结构和工作原理的不同:数字电路...
MOS管的
引脚,G、S、D分别代表什么?
答:
G:gate 栅极;S:source 源极;D:drain 漏极。N沟道的电源一般接在D,输出S,P沟道的电源一般接在S,输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel
MOS管
,或NMOS。P-channel MOS(PMOS)管也存在,是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。
什么
是
pwm
驱动mos管
开关?
答:
pwm
驱动mos管
这个电路提供了如下的特性:1、用低端
电压和
PWM驱动高端
MOS管
。2、用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。3、gate电压的峰值限制。4、输入和输出的
电流
限制。5、通过使用合适的电阻,可以达到很低的功耗。6、PWM信号反相。NMOS并不需要这个特性,可以通过前置一个反相器来解决。
什么
是
pwm
驱动mos管
开关?
答:
pwm
驱动mos管
这个电路提供了如下的特性:1、用低端
电压和
PWM驱动高端
MOS管
。2、用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。3、gate电压的峰值限制。4、输入和输出的
电流
限制。5、通过使用合适的电阻,可以达到很低的功耗。6、PWM信号反相。NMOS并不需要这个特性,可以通过前置一个反相器来解决。
MOS管的
引脚,G、S、D分别代表什么?
答:
G:gate 栅极;S:source 源极;D:drain 漏极。N沟道的电源一般接在D,输出S,P沟道的电源一般接在S,输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel
MOS管
,或NMOS。P-channel MOS(PMOS)管也存在,是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。
电脑主板上的
MOS管是
什么?
答:
电脑主板的
MOS管
有很多,散布在CPU附近。在笔记本主板上用到的MOS可简单分作两大类:信号切换用MOS管: UG比US大3V---5V即可,实际上只要导通即可,不必须饱和导通。比如常见的:2N7002,2N7002E,2N7002K,2N7002D,FDV301N。
电压
通断用MOS管: UG比US应大于10V以上,而且开通时必须工作在饱和导通...
IGBT单
管和MOS管的
区别,
MOSFET是
MOS吗?
答:
IGBT的衬底为P型。2、从原理上说IGBT相当与一个
mosfet和
一个BIpolar的组合,通过背面P型层的空穴注入降低器件的导通电阻,但同时也会引入一些拖尾
电流
等问题。3、从产品来说,IGBT一般用在高压功率产品上,从600V到几千伏都有;MOSFET应用
电压
相对较低从十几伏到1000左右。MOS就
是MOSFET
的简称 ...
如何选择最适合的
MOS管驱动
电路?
答:
导通瞬间
电压和电流
的乘积很大,造成的损失也就很大。缩短开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。4、
MOS管驱动
跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压高于一定的值,就可以了。这个很容易做到,但是,我们...
MOS管和
三极管有什么区别?
答:
一、主体不同 1、MOS管:金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管。2、三极管:半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制
电流
的半导体器件。二、作用不同 1、MOS管:管分为P
MOS管和
NMOS管,属于绝缘栅场效应管。2、三极管:是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用...
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