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mos管漏电流产生的原因
mos管
电路工作的原理是什么及详
答:
当控制电压Vc较低时,MOS管的通道内的电流较小,导致电流I从输入端流向输出端的电阻R3,最终流入漏极
。当Vc较高时,MOS管的通道内的电流较大,电流I从输入端流向输出端的电阻R3,最终流入漏极。MOS管通常有两种类型:n型MOS管和p型MOS管。n型MOS管的基极是n型半导体材料,其通道由电子组成;p型M...
两个MOS管导通与
MOS管的漏电流
问题
答:
MOS管电压不足:如果MOS管的栅极电压不足
,就无法形成足够的电场,无法控制漏极和源极之间的电流,导致MOS管无法导通。MOS管接触不良:如果MOS管的接触不良,就会导致电流无法顺畅地流过MOS管,从而导致MOS管无法导通。
MOS管温度过高
:如果MOS管长时间工作在高温环境中,就会导致MOS管内部结构损坏,从而导致...
为什么钠离子和氯离子会使
mos管漏电
偏大
答:
氯离子的吸附和钠离子的迁移
。氯离子在MOS管的表面吸附,形成氯化物层,这会导致氯离子在漏极和栅极之间形成导电通道,增加了漏电流的路径,使漏电偏大;钠离子在MOS管中发生迁移,并在氧化物层中形成电荷积累,这会导致氧化物层中的电荷密度增加,从而增加了漏电流。
目前
mos管
最小沟道长度能做到多少,集成电路工作电压是多少,pn结反偏时...
答:
10纳米,不过现代cmos已经是finfet了,属于3D结构。明年或者后年,三星和TSMC要试产7纳米了。核心工作电压很低,只有0点几伏了,为了降低功耗。
漏电
是由于势垒电压增加引起的少子导电引起的。
mos
器件偏慢
漏电
较低
答:
MOS体管的漏极源极和衬底结被反向偏置,器件的漏电流被反向偏置,
这种漏电流可能是由反向偏置区域中的少数载流子漂移扩散以及雪崩效应产生的电子空穴对引起的
。2、在漏极源极和衬底区域中的强掺杂pn中,带对带隧穿(BTBT效应主导反向偏置漏电流,电子在带间隧穿中从p区的带直接隧穿到n导通区的带。
mos漏电流
和接触电极面积有关系吗
答:
有关系。MOS场效应
管的漏电流
是指在零偏压下,漏极与源极之间的电流。漏电流可以通过改变
MOS管的
结构参数来控制,其中接触电极面积是一个重要的因素。
mos
钝化层裂纹会
漏电
吗
答:
截止到2022年12月8日,会。失效模型为可动离子通过钝化层裂纹进入沟道,
产生
沟道漏电。
MOS管漏电流
应该在几十uA以下,高温时才可能达到100uA。
三极管的
漏电流
是指什么
答:
而实际上还存在极少量的电流(uA级或更小),这个
电流的
方向是从N区到P区,大小跟PN结工艺很有关系。应用这个原理,在三极管中,即便是三极管截止的时候,CE之间也存在微小电流,并不是完全截止。从C到E,简单的说就是三极管难以完全关断,这个问题在
MOS管
上也存在,这个参数越小越好。
mos管
饱和区
漏
极
电流
不饱和
原因
答:
沟道长度调制效应,漏沟静电反馈效应和空间电荷限制效应。当
MOSFET
进入饱和区之后,
漏电流
发生不饱和现象,其中主要
的原因
有沟道长度调制效应,漏沟静电反馈效应和空间电荷限制效应。因此即使是处于饱和区的
mosfet
也会由于这些因素,漏电流也会随VDS增加而缓慢增加。
晶体管中什么
原因
引起
漏电流
?
答:
而实际上还存在极少量的电流(uA级或更小),这个
电流的
方向是从N区到P区,大小跟PN结工艺很有关系。应用这个原理,在三极管中,即便是三极管截止的时候,CE之间也存在微小电流,并不是完全截止。从C到E,简单的说就是三极管难以完全关断,这个问题在
MOS管
上也存在,这个参数越小越好。
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