55问答网
所有问题
当前搜索:
mos管中的漏极电流穿过
比如说N沟道增强型
MOS管
,
电流
从
漏极
到源极,是不是电流只经过沟道而不...
答:
MOS管
有四个极:
漏极
Drain,源极Source,栅极Gate,衬底Bulk。在NMOS中,为了形成沟道/反型层,会在栅极G和衬底B两遍施加一个纵向电压,此时G接正,B接地;为了控制沟道
中电流
大小,会在S和D两遍施加一个横向电压,此时D接正,S接地。所以看来就是衬底和源极一起连起来接地了。你也许会问,为什么D...
MOS管的
G极与D极击穿了是什么原因呢
答:
(1)穿通击穿的击穿点软,击穿过程中,
电流
有逐步增大的特征,这是因为耗尽层扩展较宽,产生电流较大。另一方面,耗尽层展宽大容易发生DIBL效应,使源衬底结正偏出现电流逐步增大的特征。(2)穿通击穿的软击穿点发生在源
漏
的耗尽层相接时,此时源端的载流子注入到耗尽层中,被耗尽层中的电场加速达到漏...
MOS管漏极漏电流
是多少
答:
MOS管
(金属氧化物半导体场效应晶体管)
的漏极电流
通常由以下公式计算:ID = 0.5 * μn * Cox * [(W / L) * (VGS - Vth)^2]其中:ID 代表漏极电流(Drain Current)。μn 是电子迁移率,反映了电子在半导体中的移动速度。Cox 是栅极氧化层的电容。W 是沟道的宽度。L 是沟道的长度。VG...
...
mos管
(带寄生二极管,如图)导通后,源极和
漏极的电流
流向和电位情况...
答:
如图所示,栅极G电压大于栅极开启电压Vgs就会导通,栅极
漏极
源极是互相隔离的,N
mos管
栅极导通,D极输入,S极输入,漏极可以流向源极;源极也可以流向漏极,但是源极本身就可以直接通过寄生二极管流向漏极,那样三极管的存在也没有意义了,寄生二极管是生产工艺中制造存在的,在分析问题的时候可以不作考虑...
两个MOS管导通与
MOS管的漏电流
问题
答:
MOS管电压不足:如果
MOS管的
栅极电压不足,就无法形成足够的电场,无法控制
漏极
和源极之间
的电流
,导致MOS管无法导通。MOS管接触不良:如果MOS管的接触不良,就会导致电流无法顺畅地流过MOS管,从而导致MOS管无法导通。MOS管温度过高:如果MOS管长时间工作在高温环境中,就会导致MOS管内部结构损坏,从而导致...
在
mos管
电路
中的漏极
开路输出无源上拉,为什么电容从低电平到高电平充电...
答:
回答:
MOS管
相当于一个开关,当MOS管到通时,
电流
从MOS管流过(此时MOS管相当于导线,C被短路),电容C两端的电压为0,当MOS管不到导通时,电容通过R充电,时间常数t=RC
nMOS晶体管导通时,为什么
电流
是从源极流到
漏极
,而不是漏极流到源极?
答:
nMOS晶体管导通是通过沟道里面的电子产生
电流
的,一般NMOS的源极接衬底,共同接到地,
漏极
到源极加上正电压,电子从源极向漏极流动,我们取电流的方向和电子流动的方向相反,所以电流是漏极流到源极。如果NMOS的源极不接衬底,不接到地,那么只要是G-S正偏就可以,Vgs大于门槛电压,
MOS
就可以导通。
mos管漏极电流
怎么计算?
答:
MOSFETS饱和时候
的漏极电流
公式:I=(1/2)UnCox(W/L)*(Vgs-Vth)²式中:Un:为电子的迁移速率。Cox:为单位面积栅氧化层电容。W/L:氧化层宽长比。Vgs-Vth:为过驱动电压。
MOS管的
源极,
漏极
,栅极是不是联通的,
电流
是什么走向?
答:
栅极控制源极和
漏极
间
的电流
,
MOS
导通后源和漏之间形成沟道,电流可以在沟道中流动,n管是漏流向源,p管相反。而MOS栅极一端是多晶硅,绝缘的,没电流,只是控制沟道电流的大小,就像水龙头一样。
请问:
MOS管
截止时,
电流
还会不会从体二极管流过?
答:
MOS管
截止时,
电流
会从体二极管流过,但是这个电流的值已经非常小了,可以忽略不计。体二极管,又叫寄生二极管,它是由生产工艺造成的,大功率
MOS 管漏极
从硅片底部引出,就会有这个寄生二极管。小功 率 MOS 管例如集成芯片
中的
MOS 管是平面结构,漏极引出方向是从硅片的上面也就是与 源极等同一...
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
涓嬩竴椤
灏鹃〉
其他人还搜
mos管连续漏极电流是什么
mos栅极放电完还有电流
mos漏电流怎么产生的
场效应管漏电流产生的原因
mos管漏电流产生的原因
mos管栅极漏电流
mos管中的漏级电流是什么
晶体管漏电流大小和什么有关
并联电容怎么计算公式