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mos管栅极漏电流
MOS管漏
极
漏电流
是多少
答:
ID 代表漏极
电流
(Drain Current)。μn 是电子迁移率,反映了电子在半导体中的移动速度。Cox 是
栅极
氧化层的电容。W 是沟道的宽度。L 是沟道的长度。VGS 是栅极与源极之间的电压。Vth 是
MOS管的
阈值电压。这个公式的详细解释如下:漏极电流(ID)是MOS管中的电子流,取决于沟道的尺寸(W 和 L)...
mos管漏
极的
电流
怎么计算?
答:
MOSFETS饱和时候的
漏
极
电流
公式:I=(1/2)UnCox(W/L)*(Vgs-Vth)²式中:Un:为电子的迁移速率。Cox:为单位面积栅氧化层电容。W/L:氧化层宽长比。Vgs-Vth:为过驱动电压。
栅极漏电流
什么量级
答:
而
MOS 管的栅极
电流非常小,趋于零(对于 2N7002,直流情况下,
栅极漏电流
在 10nA级),这样一来,在通常的集电极
MOS 管的电流
增益远远大于 Bipolar。因此,比较电流增益就显得没有意义。基于以上讨论,我们说所谓的"同等情况"需要满足以下几点:MOS管为增强型 NMOS管,Bipolar三极管为 NPN型;MOS管放大器为共源极组态,Bipol...
ASEMI的
MOS管
ASE28N50在零
栅极
电压时漏极
电流
是多少?
答:
ASE28N50在零
栅极
电压时的
漏极电流
为2mA。
两个MOS管导通与
MOS管的漏电流
问题
答:
MOS管本身损坏:
MOS管的栅极
、漏极或源极可能因为过压或过流而损坏,导致MOS管无法导通。MOS管极性反向:如果将MOS管的极性接反,就会导致MOS管无法导通。MOS管电压不足:如果MOS管的栅极电压不足,就无法形成足够的电场,无法控制漏极和源极之间的
电流
,导致MOS管无法导通。MOS管接触不良:如果MOS管的...
MOS管的
源极,漏极,
栅极
是不是联通的,
电流
是什么走向?
答:
栅极控制源极和漏极间的
电流
,MOS导通后源和漏之间形成沟道,电流可以在沟道中流动,n管是
漏
流向源,p管相反。而
MOS栅极
一端是多晶硅,绝缘的,没电流,只是控制沟道电流的大小,就像水龙头一样。
MOS管的
参数IGSS的意义是什么
答:
栅极漏电流
IGSS-在规定的UGS和VDS=0条件下,栅极的漏电流
为什么
mos管
电极会起名为源极
栅极
和
漏
极?
答:
首先,源极就像是电子的源泉,载流子从这里源源不断地注入,它是
电流
进出
MOS管的
入口。而漏极则扮演了收集器的角色,载流子从这里流出,形成电流的最终路径。
栅极
,这个看似不起眼的部分,却是控制者,它通过施加可控电场,调整半导体材料内部的电子密度,从而实现电流的开启和关闭。这三个电极的名字并非...
mos管
通过电压对栏极进行控制开关,但是需要的
电流
是多少哪?
答:
MOS管
是电压控制型器件,只需在栅源极之间施加合适电压,沟道即可开启。在沟道开启时,需要一个瞬时大电流将给
栅极
电容充电,让沟道尽快开通,这个电流往往是A级的。沟道开通后,理论上说不需要栅极维持电流,但实际上由于栅极有
漏电流
存在,往往需要保持一个稳态的栅源电压,但这个漏电流通常uA级,与BJT...
mos管的
三个极
答:
MOS管三个极分别是栅极(G)源极(S)和漏极(D)。当栅极和源极之间电压大于某一特定值,漏极和源极才能导通。
MOS管的栅极
G和源极S之间是绝缘的,由于Sio2绝缘层的存在,在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在,电压VGS产生电场从而导致源极-漏极
电流
的产生。此时的栅极电压VGS决定了漏极电流的...
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