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载流子浓度与迁移率的关系
分析本征半导体电阻
率与载流子浓度迁移率
和温度
有什么关系
答:
决定 电阻率温度关系的主要因素是载流子浓度和迁移率随温度的变化关系
。在低温下:由于 载流子浓度指数式增大(施主或 受主杂质不断电离),而迁移率也是增大的(电离杂质散射作用减弱之故),所以这时 电阻率随着温度的升高而下降。在 室温下:由于施主或 受主杂质已经完全电离,则 载流子浓度不变,但迁...
为什么半导体掺杂后
载流子浓度和迁移率
随掺杂浓度同时升高或降低_百 ...
答:
子浓度减小;当升高温度,少数
载流子浓度
将指数式增大,并且它与多数载流子相互复 合的机会也增加,仍然维持着热平衡关系.在温度不是很高时,增加的本征载流子浓度 将远小于掺杂所提供的多数载流子浓度,因 此对于多数载流子而言,可以认为其浓度基 本上就等于掺杂浓度,与温度
的关系
不大.当然,在温度高到使得本...
迁移率的
物理意义是什么?它由什么因素决定
答:
迁移率代表了载流子导电能力的大小,它和载流子(电子或空穴)浓度决定了半导体的电导率
。
迁移率与载流子的有效质量和散射概率成反比
。载流子的有效质量与材料有关,不同的半导体中电子有不同的有效质量。如硅中电子的有效质量为0.5m0(m0是自由电子质量),砷化镓中电子的有效质量为0.07m0。空穴分重空穴...
载流子的迁移率和浓度的
单位分别是什么
答:
同一种半导体材料中,载流子类型不同,迁移率不同,一般是电子的迁移率高于空穴
。如室温下,轻参杂硅材料中,电子的迁移率为1350cm^2/(VS),而空穴的迁移率仅为480cm^2/(VS)。 迁移率主要影响到晶体管的两个性能: 一是载流子浓度一起决定半导体材料的电导率(电阻率的倒数)的大小。迁移率越大...
什么是迁移率,影响
迁移率的
因素有哪些
答:
根据百度百科资料显示,1.迁移率是指单位电场强度下所产生的载流子平均漂移速度。2.影响
迁移率的
因素有能带构造〔载流子有效质量〕、温度和各种散射机构。迁移率代表了载流子导电能力的大小,它
和载流子
(电子或空穴)
浓度
决定了半导体的电导率。溶液中带电粒子在电场E中向着相异电荷的电极移动,它的移动速度...
半导体 非平衡
载流子浓度的
计算
答:
迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数,同样的掺杂
浓度
,
载流子的
迁移率越大,半导体材料的导电率越高。
迁移率的
大小不仅
关系
着导电能力的强弱,而且还直接决定着载流子运动的快慢。它对半导体器件的工作速度有直接的影响。在恒定电场的作用下,载流子的平均漂移速度只能取一定的数值,这意味着半导体中...
ito
载流子浓度和迁移率
答:
载流子浓度(1021cm-3)和电子
迁移率
(15~45cm2V-1s-1)。形成1020至1021cm-3的
载流子浓度和
10至30cm2/vs的迁移率。这个机理提供了在10-4Ω,cm数量级的低薄膜电阻率,所以ITO薄膜具有半导体的导电性能。ITO薄膜是一种n型半导体材料,具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学...
迁移率和
相对迁移率
答:
它的单位是厘米?/(伏·秒)。
迁移率
代表了载流子导电能力的大小,它
和载流子
(电子或空穴)
浓度
决定了半导体的电导率。2、相对迁移率是指在一定条件下,在相同时间内,某一组分在固定相中移动的距离与某一标准物质在固定相中移动的距离之比值。相对迁移率可以小于等于1,也可以大于1,用Rx来表示。
...与空穴的
浓度
会增加,禁带宽度会减小,电子
迁移率
将减小?
答:
温度升高导致杂质电离增加,
载流子浓度
加大,由于重掺杂效应,禁带宽度变窄。由于载流子增多,其与晶格碰撞几率增大,导致单位数量电子速度降低,载流子
迁移率
下降。这个与LED
有什么关系
?
为什么本征半导体的电阻率具有负的温度系数
答:
决定电阻率温度
关系
的主要因素是
载流子浓度和迁移率
随温度的变化关系。在低温下,由于载流子浓度指数式增大(施主或受主杂质不断电离),而迁移率也是增大的(电离杂质散射作用减弱之故),所以这时电阻率随着温度的升高而下降。本征半导体特点:电子浓度=空穴浓度(掺杂的半导体,在一定条件下(例如高温下)也...
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