载流子浓度一起决定半导体材料的电导率（电阻率的倒数）的大小。迁移率越大，电阻率越小，通过相同电流时，功耗越小，电流承载能力越大。由于电子的迁移率一般高于空穴的迁移率，因此，功率型MOSFET通常总是采用电子作为载流子的n沟道结构，而不采用空穴作为载流子的p沟道结构。
二是影响器件的工作频率。双极晶体管频率响应特性最主要的限制是少数载流子渡越基区的时间。迁移率越大，需要的渡越时间越短，晶体管的截止频率与基区材料的载流子迁移率成正比，因此提高载流子迁移率，可以降低功耗，提高器件的电流承载能力，同时，提高晶体管的开关转换速度。
一般来说P型半导体的迁移率是N型半导体的1/3到1/2.。
迁移率是衡量半导体导电性能的重要参数，它决定半导体材料的电导率，影响器件的工作速度。已有很多文章对载流子迁移率的重要性进行研究，但对其测量方法却少有提到。本文对载流子测量方法进行了小结。迁移率 μ 的相关概念在半导体材料中，由某种原因产生的载流子处于无规则的热运动，当外加电压时，导体内部的载流子受到电场力作用，做定向运动形成电流，即漂移电流，定向运动的速度成为漂移速度，方向由载流子类型决定。在电场下，载流子的平均漂移速度 v 与电场强度 E 成正比为：
v=μE
式中 μ 为载流子的漂移迁移率，简称迁移率，表示单位电场下载流子的平均漂移速度，单位是 m2／Vs 或 cm2／Vs。迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，半导体材料的导电率越高。迁移率的大小不仅关系着导电能力的强弱，而且还直接决定着载流子运动的快慢。它对半导体器件的工作速度有直接的影响。在恒定电场的作用下，载流子的平均漂移速度只能取一定的数值，这意味着半导体中的载流子并不是不受任何阻力，不断被加速的。事实上，载流子在其热运动的过程中，不断地与晶格、杂质、缺陷等发生碰撞，无规则的改变其运动方向，即发生了散射。无机晶体不是理想晶体，而有机半导体本质上既是非晶态，所以存在着晶格散射、电离杂质散射等，因此载流子迁移率只能有一定的数值。测量方法 (1)渡越时间(TOP)法 (1)渡越时间(TOP)法渡越时间(TOP) 渡越时间(TOP)法适用于具有较好的光生载流子功能的材料的载流子迁移率的测量，可以测量有机材料的低迁移率。在样品上加适当直流电压，选侧适当脉冲宽度的脉冲光，通过透明电极激励样品产生薄层的电子一空穴对。空穴被拉到负电极方向，作薄层运动。设薄层状况不变，则运动速度为 μE。如假定样品中只有有限的陷阱，且陷阱密度均匀，则电量损失与载流子寿命 τ 有关，此时下电极上将因载流子运动形成感应电流，且随时间增加。在 t 时刻有：若式中 L 为样品厚度电场足够强，t≤τ，且渡越时间 t0<τ。则在 t0 时刻，电压将产生明显变化，由实验可测得，又有式中 L、V 和 t0 皆为实验可测量的物理量，因此 μ 值可求。 (2)霍尔效应法 (2)霍尔效应法霍尔效应法主要适用于较大的无机半导体载流子迁移率的测量。将一块通有电流 I 的半导体薄片置于磁感应强度为 B 的磁场中，则在垂直于电流和磁场的薄片两端产生一个正比于电流和磁感应强度的电势 U，这称为霍尔效应。由于空穴、电子电荷符号相反，霍尔效应可直接区分载流子的导电类型，测量到的电场可以表示为式中 R 为霍尔系数，由霍尔效应可以计算得出电流密度、电场垂直漂移速度分量等，以求的 R，进而确定 μ。 (3)电压衰减法 (3)电压衰减法通过监控电晕充电试样的表面电压衰减来测量载流子的迁移率。充电试样存积的电荷从顶面向接地的底电极泄漏，最初向下流动的电荷具有良好的前沿，可以确定通过厚度为 L 的样品的时间，进而可确定材料的 μ 值。 (4)辐射诱发导电率(SIC)法 (4)辐射诱发导电率(SIC)法辐射诱发导电率(SIC) 辐射诱发导电率(SIC)法适合于导电机理为空间电荷限制导电性材料。在此方法中，研究样品上面一半经受连续的电子束激发辐照，产生稳态 SIC，下面一半材料起着注入接触作用。然后再把此空间电荷限制电流(SCLC)流向下方电极。根据理论分析 SCLC 电导电流与迁移率的关系为 J=pμε1ε0V2/εDd3 (7) 测量电子束电流、辐照能量和施加电压函数的信号电流，即可推算出 μ 值。 (5)表面波传输法 (5)表面波传输法将被测量的半导体薄膜放在有压电晶体产生的场表面波场范围内，则与场表面波相联系的电场耦合到半导体薄膜中并且驱动载流子沿着声表面波传输方向移动，设置在样品上两个分开的电极检测到声一电流或电压，表达式为 Iae=μP／Lv． (8) 式中 P 为声功率，L 为待测样品两极间距离，v 为表面声波速。有此式便可推出 μ 值。 (6)外加电场极性反转法 (6)外加电场极性反转法在极性完全封闭时加外电场，离子将在电极附近聚集呈薄板状，引起空间电荷效应。当将外电场极性反转时，载流子将以板状向另一电极迁移。由于加在载流子薄层前、后沿的电场影响，因而在极性反转后 t 时间时，电流达到最大值。t 相当于载流子薄层在样品中行走的时间，结合样品的厚度、电场等情况，即可确定 μ 值。 (7)电流一电压特性法 (7)电流一电压特性法本方法主要适用于工作于常温下的 MOSFET 反型层载流子迁移率的测量。对于一般的 MOSFET 工作于高温时，漏源电流 Ids 等于沟道电流 Ich 与泄漏电流 Ir 两者之和，但当其工作于常温时，泄漏电流 Ir 急剧减小，近似为零，使得漏源电流 Ids 即为沟道电流Ich。因此，对于一般的 MOSFET 反型层载流子迁移率，可以根据测量线性区 I—V 特性求的。总结综上所述，本文共指出了七中载流子迁移率的测量方法，除此之外，还可采用漂移实验、分析离子扩散、分析热释电流极化电荷瞬态响应等方法进行载流子迁移率的测量。