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本征载流子迁移率
分析
本征
半导体电阻率与
载流子
浓度
迁移率
和温度有什么关系
答:
在 室温下:由于施主或 受主杂质已经完全电离,则
载流子
浓度不变,但
迁移率
将随着温度的升高而降低( 晶格振动加剧,导致 声子散射增强所致),所以 电阻率将随着温度的升高而增大。在 高温下:这时
本征
激发开始起作用,载流子浓度将指数式地很快增大,虽然这时迁移率仍然随着温度的升高而降低( 晶格振动...
为什么在
本征
态下半导体的电阻率最大?
答:
因为
本征
半导体就是半导体,其内部缺少
载流子
,只有少量载流在获得能量在体内,其导电特性就介于导体与绝缘体之间,所以电阻率很大。如果电阻率很大就不叫半导体了。
本征
半导体的电导率怎么求?
答:
σ=ni q μ ,ni是
本征载流子
浓度,μ是
迁移率
.
关于半导体的电导率问题
答:
查表可得本征时空穴迁移率μp=500,电子迁移率μn=1500
,查得本征载流子浓度ni=1.0×10的十次方,代入电阻率公式可以得到ρ=1/niq(μn+μp)=3.12×10的五次方Ω·cm 查表可得该掺杂条件下电子迁移率μn=1400,多数载流子浓度n=1.0×10的十七次方,代入电阻率公式可以得到ρ=1/nqμn=0.04...
【电子微观】价带,导带,禁带,费米能级,
载流子迁移
……
答:
载流子的旅程:迁移率与复合过程 在半导体中,电子和空穴如同粒子舞者,受到晶格振动、掺杂离子的散射,而电场的加入则加速了它们的“舞蹈”。
载流子迁移率
的差异、方向性依赖,以及复合机制的多样性,共同塑造了半导体行为的复杂性。碰撞电离与雪崩效应:电子释放的力量 当电场达到临界值,电子会经历碰撞电离...
光照对
载流子迁移率
的影响
答:
降低。光照会产生温度,温度的影响对于
本征
半导体主要是是迁移率下降,影响电导率。因此光照对
载流子迁移率
的影响是迁移率下降,影响电导率。光照是指光线的照射,是生物生长和发育的必要条件之一。
为什么
本征
半导体的电阻率具有负的温度系数
答:
决定电阻率温度关系的主要因素是
载流子
浓度和
迁移率
随温度的变化关系。在低温下,由于载流子浓度指数式增大(施主或受主杂质不断电离),而迁移率也是增大的(电离杂质散射作用减弱之故),所以这时电阻率随着温度的升高而下降。
本征
半导体特点:电子浓度=空穴浓度(掺杂的半导体,在一定条件下(例如高温下)也...
【半导体物理】半导体中的
载流子
浓度
答:
半导体中的
载流子
运动既有漂移的优雅舞步,遵循欧姆定律,其中
迁移率
和电导率是关键的舞伴。又有扩散的冲动,与浓度梯度如影随形,两者相互交织,共同塑造电流的流动。爱因斯坦的调和定律 迁移率与扩散系数的比值,如同爱因斯坦的智慧结晶,成为了一个常数,揭示了半导体内部的和谐关系。非平衡与双极:生命的...
杂质半导体的电阻率为什么随着温度升高而增大
答:
当温度升高时,本征激发显著加强,
本征载流子
浓度增加,它们在外电场作用下参与导电,导致电阻率增大。在温度较高时,杂质全部电离,载流子浓度不再随温度升高而增大,此时电阻率随温度升高而增大。晶格振动散射成为主要影响因素,
迁移率
随温度升高而降低,所以电阻率随温度升高而增大。在温度很高时,本征激发...
半导体一定是随温度的提高导电能力也随之提高吗?
答:
对于Si,室温)内则否:当掺入的施主或者受主杂质完全电离以后,若温度再升高,多数载流子浓度不再随温度而变化,而
载流子迁移率
μ却随之降低,就使得电导率σ=qnμ减小(n型半导体);若温度进一步升高到本征激发起作用时,虽然迁移率仍然下降,但
本征载流子
浓度却很快增加,则导致电导率又增大。
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