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为什么电子的迁移率高
无机材料
为什么
有更
高的电子迁移率
答:
半导体的迁移率比金属高,但内部会感应出反向电荷,出现电位移,形成逆向场
。而金属导体内部场强处处相等,宏观上电流比半导体强,所以金属导电性更好。迁移率代表电子定向运动的速度,而不是电流强度。
在半导体物理中
电子的迁移率
与哪些因素有关
答:
迁移率和单位载流子的电荷量、载流子的平均自由时间和载流子有效质量有关
。迁移率=电荷量乘自由时间×有效质量。平均自由时间是指载流子受晶格两次散射中间的时间,即外电场下自由加速的时间。迁移率是单位电场强度下所产生的载流子平均漂移速度。迁移率代表了载流子导电能力的大小,它和载流子(电子或空穴)浓度...
从能带角度解释
为什么电子的
有效质量绝对值小于空穴,而
迁移率
高于空穴...
答:
迁移率正比于载流子运动的平均自由时间,也正比于平均速度,因此反比于有效质量
。更科学的解释同上,
因为空穴运动时受到的束缚和散射比电子更多
,因此他的迁移率没有电子大
电子迁移率
和空穴迁移率哪个大?
答:
电子的迁移率
大。同样的条件下,电子的迁移率接近是空穴迁移率的3倍
高电子迁移率
晶体管的技术原理
答:
FET-IC实现超高频、超高速的困难(提高载流子迁移率的重要性)因为一般的场效应集成电路为了达到超高频、超高速
,必须要减短信号传输的延迟时间τd ∝ CL/(μnVm)和减小器件的开关能量(使IC不致因发热而损坏)E = ( Pd τd )≈CLVm2/2,而这些要求在对逻辑电压摆幅Vm的选取上是矛盾的,因此难以...
第三代半导体材料具有哪些优势
答:
第三代半导体材料是一种具有许多优势的新型材料。首先,与传统的硅材料相比,第三代半导体材料具有更
高的
电子
迁移率
。这意味着在相同的电压下,电子在材料中的移动速度更快,
电子的
能量损失也更小。这使得第三代半导体材料在高速电子器件中具有更加出色的性能,例如高频电路和高速电子传输。其次,第三代...
电子迁移率
的介绍
答:
在外电场作用下液态介质内的电子受到加速而迁移,称
电子迁移
。
迁移率
(单位场强下的电子迁移速率)是沿着外电场施加于电子上的作用力方向,通常小于无规热运动速率,其大小由介质阻碍与外场加速间达到的平衡来确定,是一个平均速率。
迁移率高
的好处
答:
1. 提高材料的导电性:
迁移率
越高,载流子在电场中的平均漂移速度越快,从而导电能力越强,器件的导电性也就越好。2. 提高材料的透明度:对于一些透明材料(如玻璃或塑料),其导电性往往较差,而高迁移率可以使得这些材料具有较好的导电性,从而使得更多的光可以通过,提高了材料的透明度。此外,
高迁移
...
半导体 非平衡载流子浓度的计算
答:
由于
电子的迁移率
一般高于空穴的迁移率,因此,功率型MOSFET通常总是采用电子作为载流子的n沟道结构,而不采用空穴作为载流子的p沟道结构。 二是影响器件的工作频率。双极晶体管频率响应特性最主要的限制是少数载流子渡越基区的时间。迁移率越大,需要的渡越时间越短,晶体管的截止频率与基区材料的载流子迁移...
什么
是载流子
的迁移率
答:
由于
电子的迁移率
一般高于空穴的迁移率,因此,功率型MOSFET通常总是采用电子作为载流子的n沟道结构,而不采用空穴作为载流子的p沟道结构. 二是影响器件的工作频率。双极晶体管频率响应特性最主要的限制是少数载流子渡越基区的时间。迁移率越大,需要的渡越时间越短,晶体管的截止频率与基区材料的载流子迁移...
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