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为什么电子的迁移率高
二维
电子
气
的高迁移率
二维电子气
答:
性能优良的超高频、超高速场效应晶体管——HEMT(又称为MODFET),就是利用调制掺杂异质结势阱(沟道)中的高迁移率二维
电子
气来工作的。调制掺杂异质结中的二维电子气除了具有非常高
的迁移率
以外,还具有一种独特的性质就是,即使在极低温度下都不会“冻结”——不会复合消失。因为提供这些二维电子气的...
为什么
在半导体中使用碳化硅?
答:
在半导体领域中采用碳化硅(Silicon Carbide,SiC)技术有其特定的优势,这些优势主要体现在其卓越的物理特性上,包括高热导率、高电场下的电子漂移速度、
高电子迁移率
等。以下列举了几个主要原因说明
为何
在半导体中使用碳化硅:1. **高热导率**:碳化硅的热导率远高于传统的硅材料。这一特性使得碳化硅在...
为什么
在数字电路或高频模拟电路中,
电子
导电器件优于空穴导电器件?_百度...
答:
电子的迁移率高
啊,这个就是
为什么
工程上多用N沟道的器件一样,有更低的导通阻抗。
载流子
迁移率
与晶体管频率之间是
什么
关系?
答:
在电场下,载流子的平均漂移速度v 与电场强度E 成正比为:v=μE式中 μ 为载流子的漂移迁移率,简称迁移率,表示单位电场下载流子的平均漂移速度,单位是 m2/Vs 或 cm2/Vs。迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数,同样的掺杂浓度,载流子
的迁移率
越大,半导体材料的导电率越高。迁移率的大小...
电子
转移有利条件
答:
效应满足条件 ①对于双能谷半导体,主能谷与次能谷的能量差ΔE要小于禁带宽度、但要大于热运动能量kT,而且
电子
在次能谷的有效质量>>主能谷的有效质量,同时上、下能谷的有效态密度之比>>1;②外电场要使电子获得大于ΔE的足够能量,并且要能通过散射而提供一定的动量。电子在主能谷时
迁移率
为正...
SIC的具体意义是
什么
?
答:
1. 高温高压应用:SiC 具有出色的高温和高压性能,这使得它在高温、高压环境下工作的电子设备和功率模块中得到广泛应用。这些应用包括电力电子、航空航天、汽车、能源转换等。2.
高电子迁移率
:SiC 具有高电子迁移率,这使得它的功率半导体器件能够在高频率下工作,从而提高效率。这对于高频率开关电源和射频...
金属的
电子迁移率
答:
是固体物理学中用于描述金属或半导体内部电子。
电子迁移率
表征了当受到电场拉动时,电子可以在金属或半导体中移动的速度。
电子
跃迁率大于空穴
迁移率
的原理是
什么
答:
所为空穴 其实就是
电子
移动留下的“空位”,当某个电子移动留下“空位”以后,又有别的电子来填补这个“空位”从而留下新的“空位”看起来好像是“空位”在移动,空穴的概念就是这麽来的 所以空穴的移动 是不同的电子移动的结果 如果把 移动的电子比作 直达终点的列车,空穴移动就好比 在中途每站都...
为什么电子迁移率
比空穴快
答:
貌似是空穴
的迁移率
比
电子
快吧
高电子迁移率
晶体管的基本信息
答:
高电子迁移率
晶体管(highmobilitytransistor) 利用异质结或调制掺杂结构中二维电子气高迁移率特性的场效应晶体管。其低温、低电场下的电子迁移率比通常高质量的体半导体的场效应晶体管高1000倍,可实现高速低噪音工作。高电子迁移率晶体管(HEMT,High Electron Mobility Transistor) :HEMT是一种异质结场...
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