以TTL系列集成电路为例，从硅片到集成电路的工艺流程：从单晶硅上切割下来的硅片——磨光——抛光——氧化——光刻——埋层扩散——外延——氧化——光刻——隔离扩散——氧化——光刻——基区扩散——氧化——光刻——发射区扩散——真空镀铝——光刻——烧结（形成欧姆接触）——初测 至此前道工序就算完成了。
后部工序：划片——烧结基座——键合——中测——包封——老化——测试——打印（激光或丝印）
说明：上述工艺流程只是概要举例而已。各工序的名称，在不同厂家叫法也有不同。但是大致如此。MOS电路的工艺与上有若干不同之处。
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