场效应晶体管(FET)是利用电场效应控制电流的单极半导体器件。它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点。它被应用于大规模和超大规模集成电路中。
场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。
在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。
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作用
1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。
2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3.场效应管可以用作可变电阻。
4.场效应管可以方便地用作恒流源。
5.场效应管可以用作电子开关。
场效应晶体管(FET)是利用电场效应控制电流的单极半导体器件。它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点。它被应用于大规模和超大规模集成电路中。
场效应晶体管属于压控半导体器件。它具有输入电阻高(107-1015Ω)、噪声低、功耗低、动态范围大、易于集成、无二次击穿、安全工作范围广等优点。它已经成为双极晶体管和功率晶体管的有力竞争对手。
扩展资料:
与双极晶体管相比,场效应晶体管具有以下特点。
1、场效应晶体管(FET)是一种电压控制器件,通过VGS(栅源电压)控制ID(漏极电流);
2、FET的控制输入电流很小,因此其输入电阻(107-1012Ω)很大。
3、它使用大多数载流子来导电,所以它的温度稳定性更好;
4、放大电路的电压放大系数小于三极管放大电路的电压放大系数;
5、场效应管的抗辐射能力强;
6、由于混沌运动的电子扩散不产生散粒噪声,所以噪声很低。
参考资料来源:百度百科-场效应管
参考资料来源:百度百科-半导体器件
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