在深入理解亚微米CMOS工艺中，有源区的精细构建是关键环节。它涉及一系列精密的步骤，旨在保护器件并确保后续工艺的顺利进行。以下是这个复杂过程的详细工艺流程：
1. 去除隔离氧化层
采用湿法刻蚀，通过混合HF、NHF和H2O，精确地去除保护器件的氧化隔离层，如图4-15所示，这个步骤至关重要，以确保后续LOCOS工艺的精确进行。
2. 清洗与前置氧化层生长
晶圆经过清洗，确保硅表面干净无杂质。紧接着，通过干氧氧化法，以1000℃的高温，生长一层约200-300埃的前置氧化层，为后续Si3N4淀积提供缓冲，避免应力问题。如图4-16所示，这一步是减缓位错生成的关键。
3. Si3N4淀积
利用LPCVD技术，以900℃的高温，通过SiH4和NH3反应沉积出1500-1600埃的Si3N4层，它既是遮蔽层又是离子注入的阻挡层，如图4-17所示。
4. SiON层沉积
PECVD工艺下，以400℃低温，SiH4、N2O和He反应生成200-300埃的SiON层，作为光刻底部抗反射层，降低驻波效应的影响，见图4-18。
5. AA光刻与关键尺寸测量
通过微影技术，AA掩膜版上的图案被转移到晶圆上，形成光刻胶图案，图4-19和4-20展示了AA区域的光刻与刻蚀过程。随后，关键尺寸CD会被精确测量以确保质量。
6. 光刻套刻与缺陷检查
除了测量AA光刻，还会检查AA与第零层的套刻数据，图4-21展示了显影后的图形，任何缺陷都需严格把控。
7. 干法刻蚀与去光刻胶
干法刻蚀使用Ar和CF4等离子体，精确去除光刻胶覆盖下的Si3N4，如图4-22所示。随后，通过干法和湿法去除光刻胶，确保工艺的完整性。
8. 关键尺寸复核与报废处理
最后，对刻蚀后的AA关键尺寸进行测量，如果不符合规格，可能需要报废处理，以保证产品的品质，图4-23展示了这一环节的工艺流程。
以上每个步骤都紧密相连，每一环都对最终器件的性能有着深远影响，充分展示了亚微米CMOS有源区工艺的精密与复杂。这不仅展示了工艺的精细，也揭示了集成电路制造背后的科学与技术。